物聯網方案列表

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氮化鎵英諾賽科InnoscienceGan第三代半導體

基於InnoGaN INN100EA035A & INS2002FQ 設計的48V系統四相2kW降壓電源方案

隨著服務器和人工智慧應用的發展,CPU/GPU的功率越來越高,為了降低傳輸損耗,傳統供電架構已經從12V升級到48V。受限於服務器內的空間尺寸,需要高功率密度的電源幫助實現從48V到12V的供電轉換。 英諾賽科針對48V架構開發了兩款行業領先的降壓電源方案(四相2kW交錯降壓電源方案),為更高效、節

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電源
氮化鎵英諾賽科InnoscienceGan第三代半導體便攜式儲能

基於InnoGaN INN650TA030C & INN650TA050C 設計的2KW 48V雙向ACDC儲能電源方案

    近兩年,隨著氮化鎵市場進程的加速,氮化鎵的應用場景逐步從消費電子向光伏儲能、數據中心、電動汽車等領域延伸,功率覆蓋範圍也越來越大。      在雙碳要求下,新能源如風能、光伏等應用成為綠色發展的關鍵,但由於自然資源的不確定性,在新能源的存儲和利用過程中,需要儲能系統進行波峰和波谷的調配,從而

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氮化鎵英諾賽科InnoscienceGan第三代半導體INN700D140C

基於InnoGaN INN700D140C & INN700DA140C 設計的300W適配器電源方案

快充只是GaN功率器件在消費類市場的“橋頭堡”,如今,在電腦適配器領域,也出現了不少GaN充電器產品,GaN所具備的高開關速度,可以通過提高電源的開關頻率,減小變壓器的體積;低導阻,高效率的優勢,可以降低散熱需求,減少散熱片等輔助散熱,進一步減小電源體積。採用英諾賽科氮化鎵的120W/240W電源適

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氮化鎵英諾賽科InnoscienceGan第三代半導體INN650TA030AH

基於InnoGaN INN650TA030AH & INN650TA070AH & INN650D080BS設計的2KW PSU 服務器電源方案

消費電子僅是GaN規模化應用的第一站,近年來,工業領域對GaN的需求也在逐步攀升。根據AKCP機構測算,2023年網絡設備、通信設備以及數據中心等的能耗將占全球總用電量的21%左右,成為了“碳中和”最難啃的骨頭。其中,數據的需求將大幅度推高數據中心的建設速度,2023年,數據中心的能耗將占全球總用電

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氮化鎵英諾賽科InnoscienceGan第三代半導體ISG3201

基於InnoGaN ISG3201 & INN040LA015A 設計的1KW DCDC 電源模塊方案

隨著“雙碳”概念的深入,智能化、低碳化越來越成為數據中心的兩大“確定性”發展趨勢,而低碳化就意味著要讓數據中心能耗更低、效率更高。據行家說Research顯示,現有數據中心(Si方案)整體功率轉換能效大約為75%,而採用GaN器件則能提升到87.5%。其中,DCDC 48V-12V 環節在整個鏈路中

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STSTNRG012第三代半導體SRK2001TSM1014EVL012LED

基於ST 使用STNRG012的200 W LED驅動器之EVL012LED方案介紹

一, EVL012LED demo板介紹: LED改變了我們看光的方式。日復一日,他們正在許多應用中取代舊的照明方法,從戶外街道和公園照明、園藝和泛光燈到工業、商業和家庭空間的室內照明.推動這一變化的原因有幾個:效率、續航能力、光線質量、低維護和成本。但是,儘管LED燈具在性能方面建立了新的標準,但

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ST意法半導體GAN第三代半導體Power and energyLED

基於ST的MASTERGAN4, HVLED002 以及VIPER06XS的用於可調光的高功率反向BUCK的500W LED 方案

因越來越多的LED需求,針對LED的體積與效率等都有很高的要求,ST基於第三代MASTERGAN4的產品,結合最新的同步反向BUCK晶片,向更小體積,更高效率,更好的調光範圍出發,推出了500W的DEMO,針對DEMO的詳細 介紹如下: EVLMG4-500WIBCK評估板,設計用於驅動基於gan的

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ST意法半導體GAN第三代半導體Power and energyPD3.1

基於ST 的ST-ONEHP的140W的符合PD3.1的ERP能效標準的參考電源設計

evlon140w是第一個根據USB-PD 3.1 EPR標準參考設計認證。它支持寬的輸入電壓範圍,並可以擁有4個SPR輸出,一個EPR輸出和以及一個在5A時最高可達28V的AVS輸出。 該板基於ST-ONEHP數字控制器,配套L6563S(PFC控制器)和MasterGaN1 (600v半橋GaN

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ST第三代半導體氮化鎵GANPD快充

基於ST VIPERGAN65 的65W PD 快充方案

PD快充在日常生活種已非常普及,ST推出的內置氮化鎵(GAN)MOS的 緊湊型控制晶片,尺寸僅為5*6mm, 工作頻率最高可達240K,非常適合用於PD快充及緊湊型電源。 VIPERGAN65介紹: VIPERGAN65是一款高壓轉換器,內置氮化鎵 MOS(Gan MOS ), 專為中功率准諧振反激

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ST意法半導體GAN第三代半導體Power and energyPD

基於ST VIPERGAN50的20V/2.25A 小體積之PD快充方案

過往產品的充電裝置多由各家廠牌使用各自的接口,導致裝置汰換時將造成許多浪費。由於USB的普及,市面大部分的產品都透過此接口傳輸數據,進而促使人們欲提升USB供電能力的想法。過去即使透過USB Battery Charging 1.2(BC1.2) 方式最多也只能提供7.5W (5V 1.5A),則電

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