PD快充在日常生活種已非常普及，ST推出的內置氮化鎵（GAN）MOS的 緊湊型控制晶片，尺寸僅為5*6mm, 工作頻率最高可達240K，非常適合用於PD快充及緊湊型電源。
VIPERGAN65介紹：
VIPERGAN65是一款高壓轉換器，內置氮化鎵 MOS（Gan MOS ), 專為中功率准諧振反激式轉換器設計，能夠在寬範圍內提供高達65W的輸出功率。低靜態電源管理功能用於實現低待機功耗。前饋補償使全電壓範圍內的最大輸出峰值功率區域一致。
VIPERGAN65還提供了可顯著提高產品安全性和可靠性的保護功能：OVP, OTP,OLP.Brown-in,Brown-out,以及輸入過壓保護（iOVP）。所有保護均為自動重啟模式。
65W方案介紹：
本方案設計了65W PD快充，採用反激拓撲，運行於QR模式，可以有效的提高效率，初級側主控晶片使用ST VIPERGNA65, 次級側同步整流控制器使用ST SRK1001，協議晶片採用 ST STUSB476QTR ,輸出接口為主流的USB Type-C。
原理圖如下：
變壓器使用RM10磁芯，初次級匝比為6，電感量500uH. 變壓器結構圖如下：
電路原理圖，測試報告，BOM 可以下載附件做參考。
注1：參考文章 ST VIPERGAN65 規格書，網址 VIPERGAN65 - Advanced quasi-resonant offline high voltage converter with E-mode GaN HEMT - STMicroelectronics
注2：參考文章 ST 應用手冊 AN5910 ， 網址 VIPERGAN65 - Advanced quasi-resonant offline high voltage converter with E-mode GaN HEMT - STMicroelectronics
VIPERGAN65介紹：
VIPERGAN65是一款高壓轉換器，內置氮化鎵 MOS（Gan MOS ), 專為中功率准諧振反激式轉換器設計，能夠在寬範圍內提供高達65W的輸出功率。低靜態電源管理功能用於實現低待機功耗。前饋補償使全電壓範圍內的最大輸出峰值功率區域一致。
VIPERGAN65還提供了可顯著提高產品安全性和可靠性的保護功能：OVP, OTP,OLP.Brown-in,Brown-out,以及輸入過壓保護（iOVP）。所有保護均為自動重啟模式。
65W方案介紹：
本方案設計了65W PD快充，採用反激拓撲，運行於QR模式，可以有效的提高效率，初級側主控晶片使用ST VIPERGNA65, 次級側同步整流控制器使用ST SRK1001，協議晶片採用 ST STUSB476QTR ,輸出接口為主流的USB Type-C。
原理圖如下：
變壓器使用RM10磁芯，初次級匝比為6，電感量500uH. 變壓器結構圖如下：
電路原理圖，測試報告，BOM 可以下載附件做參考。
注1：參考文章 ST VIPERGAN65 規格書，網址 VIPERGAN65 - Advanced quasi-resonant offline high voltage converter with E-mode GaN HEMT - STMicroelectronics
注2：參考文章 ST 應用手冊 AN5910 ， 網址 VIPERGAN65 - Advanced quasi-resonant offline high voltage converter with E-mode GaN HEMT - STMicroelectronics
►場景應用圖
►展示板照片
►方案方塊圖
►核心技術優勢
65W DEMO Board 優勢： •4個功率點平均效率：>92% •空載待機功耗功耗：<50 mW（@230 VAC） •EMI符合IEC55022 B •VIPERGAN65集成 650V 氮化鎵MOS（GaN）可實現緊湊、簡化的PCB布局和減少BOM •具有動態消隱時間和可調谷底同步延遲功能的QR，可在任意輸入線路和負載條件下最大化效率 •谷底鎖定 •輸入電壓前饋補償OPP •頻率抖動可抑制EMI
►方案規格
65W DEMO Board 規格： •輸入電壓：90 --264 VAC，頻率47 --63 Hz •輸出電壓：單Type_C 輸出5 V--20 VDC •輸出功率：最大20 V 3.25 A@ 65 W •尺寸：70 x 35 x 25 mm（長x寬x高） •功率密度：>22 W/in3 •效率：符合歐盟CoC Tier 2和DoE Level 6效率要求，230 VAC 65W時峰值效率>93%