BMS 俗稱電池保姆或電池管家，主要是為了智能化管理及維護各個電池單元，防止電池出現過充電和過放電，保障電池安全使用的同時延長使用壽命。 當前市面上出現的電池管理系統大多數採用 Si MOS，由於 Si MOSFET 具有寄生二極體，必須成對使用，才能進行充電電流、放電電流的控制。針對 BMS 應用
隨著第三代半導體技術的不斷推動，有利於打造輕薄、高效的電源供應器。此次由詮鼎集團代理的碇基半導體，合作推出一款高功率密度300W適配器電源評估板，其中PFC與LLC搭載碇基半導體Ancora GaNFET，使得適配器整體尺寸縮小至195mm*60mm*20mm，功率密度提升至21W/inc3。而這樣
快充只是GaN功率器件在消費類市場的“橋頭堡”，如今，在電腦適配器領域，也出現了不少GaN充電器產品，GaN所具備的高開關速度，可以通過提高電源的開關頻率，減小變壓器的體積；低導阻，高效率的優勢，可以降低散熱需求，減少散熱片等輔助散熱，進一步減小電源體積。採用英諾賽科氮化鎵的120W/240W電源適
消費電子僅是GaN規模化應用的第一站，近年來，工業領域對GaN的需求也在逐步攀升。根據AKCP機構測算，2023年網絡設備、通信設備以及數據中心等的能耗將占全球總用電量的21%左右，成為了“碳中和”最難啃的骨頭。其中，數據的需求將大幅度推高數據中心的建設速度，2023年，數據中心的能耗將占全球總用電
隨著“雙碳”概念的深入，智能化、低碳化越來越成為數據中心的兩大“確定性”發展趨勢，而低碳化就意味著要讓數據中心能耗更低、效率更高。據行家說Research顯示，現有數據中心（Si方案）整體功率轉換能效大約為75%，而採用GaN器件則能提升到87.5%。其中，DCDC 48V-12V 環節在整個鏈路中
PD快充在日常生活種已非常普及，ST推出的內置氮化鎵（GAN）MOS的 緊湊型控制晶片，尺寸僅為5*6mm, 工作頻率最高可達240K，非常適合用於PD快充及緊湊型電源。 VIPERGAN65介紹： VIPERGAN65是一款高壓轉換器，內置氮化鎵 MOS（Gan MOS ), 專為中功率准諧振反激
隨著我們生活品質越來越高，各行各業對應的各種科技也在飛速發展，各種新技術，新材料在市面上得到了充分的應用。第三代半導體氮化鎵出現在世人面前，已大大提升了人們的生活水平。氮化鎵元器件具有高頻，高轉換效率，高擊穿電壓等特性，氮化鎵前景有無限可能，國產氮化鎵的發展也突飛猛進，未來氮化鎵會應用在更多的場景中
如今人們的生產生活一刻也離不開電子產品，電子產品儼然已經成了一種剛需，比如手機、電腦、智能家電等。特別是手機，幾乎是每個人的標配，衣食住行樣樣都離不開手機的輔助。而這種高頻次的使用背後定然也離不開充電器的加持，因為手機是電子產品，而電子產品需要電能才能使用。說起手機充電器，人們最關心的
現階段矽元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會導致矽MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會影響關斷速度，而矽元件也無法再提升。因此開發了由兩種或三種材料製成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化矽功率電晶體，雖然它們比矽更難製造及更昂貴，但也具有獨特的優勢和優越的
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