基於InnoGaN INN650D01高效超薄200W LED驅動電源方案

隨著我們生活品質越來越高，各行各業對應的各種科技也在飛速發展，各種新技術，新材料在市面上得到了充分的應用。第三代半導體氮化鎵出現在世人面前，已大大提升了人們的生活水平。氮化鎵元器件具有高頻，高轉換效率，高擊穿電壓等特性，氮化鎵前景有無限可能，國產氮化鎵的發展也突飛猛進，未來氮化鎵會應用在更多的場景中。人們生活中常常使用到，看到的LED燈具，這塊大市場就率先使用了氮化鎵器件，因人們對燈具品質的要求越來越高，要求體積小，效率高，散熱好等，傳統的LED驅動器大體積，低效率，溫度高等，已無法滿足小而薄的燈具設計。而氮化鎵高頻高效的特性，完美的應用到LED驅動電源上，利用高頻高效的優勢，減小體積並降低發熱，是燈具產品一個不錯的選擇。

英諾賽科推出200W 超薄超小LED驅動電源方案，高功率密度達到35W/in³，方案採用PFC+LLC+SR架構，配置了英諾賽科的高頻高效功率管INN650D01+INN650D02，峰值效率達96%，恆流4.2A輸出，恆流電壓48V，恆壓49V輸出，無頻閃。此方案大大提升了效率，以及減小產品體積，強力加持為節能減排做出了自已的貢獻。