產品說明 EVSTGAP2GSN是一個半橋評估板，設計用於評估STGAP2GSN隔離單柵極驅動器。STGAP2GSN柵極驅動器具有2A源極和3A漏極能力以及軌對軌輸出，使該設備也適用於中高功率逆變器應用，如工業應用中的功率轉換和電機驅動逆變器。該器件允許通過使用專用柵極電阻器來獨立地優化導通和關斷。

氮化鎵(GaN)產品讓消費電子、工業和汽車系統更高效、更緊湊  意法半導體宣布已開始量產能夠簡化高效功率轉換系統設計的增強模式PowerGaN HEMT(高電子遷移率電晶體)器件。STPOWER™ GaN電晶體提高了牆插電源適配器、充電器、照明系統、工業電源、可再生能源發電、汽車電氣化等應用的性能。

650 V e模式功率GaN電晶體， 75 mOhm典型值，15 A，常關P柵極HEMT 產品說明 SGT120R65AL是一種650 V、15 A e模式PowerGaN電晶體，結合了成熟的封裝技術。由此產生的G-HEMT器件擁有極低的傳導損耗、高電流能力和超快的開關操作，以實現高功率密度和出眾的