產品說明
EVSTGAP2GSN是一個半橋評估板，設計用於評估STGAP2GSN隔離單柵極驅動器。STGAP2GSN柵極驅動器具有2A源極和3A漏極能力以及軌對軌輸出，使該設備也適用於中高功率逆變器應用，如工業應用中的功率轉換和電機驅動逆變器。該器件允許通過使用專用柵極電阻器來獨立地優化導通和關斷。該器件集成了包括熱關斷和UVLO在內的保護功能，並為增強型GaN電晶體提供了優化級別，從而實現了高效可靠的系統設計。雙輸入引腳允許選擇信號極性控制並實現HW聯鎖保護，以避免控制器故障時的交叉導通。該器件允許實現負柵極驅動，板上隔離的DC-DC轉換器允許在e型GaN電晶體的優化驅動電壓下工作。EVSTGAP2GSN板允許評估驅動GaN電晶體SGT120R65AL 75 mΩ、650 V的所有STGAP2GSN功能。電路板組件易於訪問和修改，使驅動器在不同應用條件下更容易進行性能評估，並對最終應用組件進行微調。
技術規格：
•板子特性
–半橋配置，高達650 V的高壓。
–SGT120R65AL:650 V，典型75 mOhm，15A，e型PowerGaN電晶體
–負柵極驅動
–板上隔離DC-DC轉換器，提供高側和低側柵極驅動器，由VAUX=5 V供電，最大隔離1.5 kV
–通過在板上3.3 V或VAUX=5 V提供的VDD邏輯電壓
–驅動電壓配置的跳線選擇方便：+6/0 V；+6/-3伏
• STGAP2GSN特性
–1700 V功能隔離
–驅動器電流能力：25°C時2 A/3 A源/匯，VH=6 V
–分離的匯點和源極，便於柵極驅動配置
–輸入輸出傳播延遲：45 ns
–針對GaN優化的UVLO功能
–柵極驅動電壓高達15 V
–3.3 V，5 V TTL/CMOS輸入，帶滯後
–溫度關閉保護
原廠介紹鏈接：EVSTGAP2GSN - Demonstration board for STGAP2GSN isolated single gate driver with e-mode GaN transistor - STMicroelectronics
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