ST 意法半導體量產PowerGaN器件，讓電源產品更小巧、更清涼、更節能

氮化鎵(GaN)產品讓消費電子、工業和汽車系統更高效、更緊湊 

意法半導體宣布已開始量產能夠簡化高效功率轉換系統設計的增強模式PowerGaN HEMT(高電子遷移率電晶體)器件。STPOWER™ GaN電晶體提高了牆插電源適配器、充電器、照明系統、工業電源、可再生能源發電、汽車電氣化等應用的性能。 

該系列先期推出的兩款產品SGT120R65AL 和 SGT65R65AL都是工業級650V常關G-HEMT™ 電晶體，採用PowerFLAT 5x6 HV貼裝封裝，額定電流分別為15A和25A，在25°C時的典型導通電阻(R_DS(on))分別為75mΩ和49mΩ。此外，3nC和5.4nC的總柵極電荷和低寄生電容確保電晶體具有最小的導通/關斷能量損耗。開爾文源極引腳可以優化柵極驅動。除了減小電源和適配器的尺寸和重量外，兩款新GaN電晶體還能實現更高的能效、更低的工作溫度和更長的使用壽命。 

在接下來的幾個月里，意法半導體將推出新款PowerGaN產品，即車規器件，以及更多的功率封裝形式，包括PowerFLAT 8x8 DSC和LFPAK 12x12大功率封裝。 

意法半導體的G-HEMT器件將加速功率轉換系統向GaN寬帶隙技術過渡。GaN電晶體的擊穿電壓和導通電阻R_DS(on)與矽基電晶體相同，而總柵極電荷和寄生電容更低，且無反向恢復電荷。這些特性提高了電晶體的能效和開關性能，可以用更小的無源器件實現更高的開關頻率，提高功率密度。因此應用設備可以變得更小，性能更高。未來，GaN還有望實現新的功率轉換拓撲結構，進一步提高能效，並降低功耗。

 意法半導體PowerGaN分立器件的產能充足，能夠支持客戶快速量產需求。SGT120R65AL 和SGT65R65AL現已上市，採用PowerFLAT 5x6 HV封裝。

 詳情訪問www.st.com/g-hemt-gan-transistors