Pcore™2 E2B封裝 1200V 240A 大功率碳化矽MOSFET模塊 BMF240R12E2G3是基本半導體為更好滿足工業客戶對高效和高功率密度需求而開發的一款1200V 240A大功率碳化矽MOSFET半橋模塊，該模塊採用了Press-Fit壓接工藝、帶NTC溫度檢測以及高封裝可靠性的氮

小小的在這篇博文聊一下有關於Microchip 的PoE 及其相關的解決方案。 【PoE: Power over Ethernet】 乙太網路供電 (PoE) 是一項革命性技術，能夠透過標準乙太網路基礎設施供電，促進快速、輕鬆地安裝 WLAN 存取點、網路攝影機、IP 電話和其他基於 IP 的設備。

美光Nor flash 規格書明確說明 Vcc overshoot 大於Vccmax+2.0V，20ns區間即有風險造成不可逆的損壞! VIH overshoot 大於Vccmax+1.0V ,2ns區間=> 即有風險造成不可逆的損壞! 參考來源美光官網: https://www.micron.co

作者：英飛凌工業半導體 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）宣布其適用於汽車和工業電機控制應用的MOTIX™系列再添新成員。為進一步擴大這一先進產品系列的陣容，英飛凌推出了MOTIX™雙通道柵極驅動器IC，包括2ED2742S01G、2ED2732S01G、2ED27

作者：英飛凌工業半導體 新品 2000V SiC分立器件雙脈衝或連續PWM評估板   開發EVAL-COOLSIC-2kVHCC評估板的目的是評估TO-247 PLUS-4-HCC封裝的CoolSiC™ 2000V碳化矽MOSFET。 評估板是精確的通用測試平台，用於評估全系列CoolSiC™ 20

1. RCC是Ringing Choke Converter的縮寫         之所以稱RCC是由於其控制過程為振盪狀態和抑制狀態（或稱阻塞狀態）的時間比，因此成為振盪抑制型變換器，簡稱RCC型開關穩壓器。         反激式自激變換器就是我們通常所指的RCC電路。 2. 下面是最基本的RC

特性 二次側同步整流控制器優化非互補有源箝位反激變換器(NC-ACF)。 可在低側和高側配置。 支持邏輯級(A和B)和標準級(C和D) mosfet 寬範圍供電電壓:4v至36v 用於SR MOSFET (190 V AMR)的DVS(漏源)檢測電壓 工作頻率高達500khz 快速短路檢測器 內部柵

立錡科技推出一系列採用小型CSP封裝的低輸入電壓降壓轉換器，專為各種小型可穿戴設備和物聯網應用而設計。該系列在性能和緊湊尺寸之間實現了出色的平衡。   RT5707/A 和 RT5713/14 系列具有僅 360nA 的超低靜態電流，可顯著延長電池壽命。此外，通過選擇 8 個可調輸出或 35 個預設

X-NUCLEO-EEICA1，基於M24256E-F和M24M01E-F系列的標準I2C EEPROM存儲器擴展板，用於STM32 Nucleo 產品說明 X-NUCLEO-EEICA1擴展板專為M24256E-F和M24M01E-F系列I2C EEPROM設計，用於數據讀寫。 此擴展板可以充當外

前言：需要在 ap1 domain（android）使用 spi7，根據資源劃分，spi7 是屬於 ap1 domain 的資源，但在 ap1 打開時鐘後出現了 kernel panic。以下描述此問題的分析及解決。 一、問題描述 1. 在 x9_high-plus_ms_native_ivi_se