BMF240R12E2G3是基本半導體為更好滿足工業客戶對高效和高功率密度需求而開發的一款1200V 240A大功率碳化矽MOSFET半橋模塊，該模塊採用了Press-Fit壓接工藝、帶NTC溫度檢測以及高封裝可靠性的氮化矽AMB陶瓷基板等技術，在導通電阻、開關損耗、抗誤導通、可靠性等方面表現出色，可應用於大功率快速充電樁模塊、不間斷電源UPS、高頻DCDC變換器、高端工業焊機等領域。
產品拓撲
產品特點
高晶圓可靠性
新型內部構造極大抑制了碳化矽晶體缺陷引起的RDS(on)退化。
優異抗噪特性
寬柵-源電壓範圍（VGS: -10V~+25V），及更高閾值電壓（VGS(th).typ = 4.0V），便於柵極驅動設計。
高熱性能及高封裝可靠性
高性能氮化矽AMB陶瓷基板及高溫焊料引入，改善溫度循環的CTE失配，陶瓷板的可靠性大幅提升。
Press-Fit連接技術
集成NTC溫度傳感器
應用優勢
- 低導通電阻
- 低開關損耗
- 提高系統效率，降低系統散熱需求
- 提高開關頻率，以降低設備體積，提高功率密度
- 高閾值電壓，降低誤導通風險
應用領域
- 大功率快速充電樁
- 不間斷電源UPS
- 儲能系統ESS
- 高端工業電焊機
- 高頻DCDC變換器
- 工業伺服電機
產品列表
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關於基本半導體
深圳基本半導體有限公司是中國第三代半導體創新企業，專業從事碳化矽功率器件的研發與產業化。公司總部位於深圳，在北京、上海、無錫、香港以及日本名古屋設有研發中心和製造基地。公司擁有一支國際化的研發團隊，核心成員包括二十餘位來自清華大學、中國科學院、英國劍橋大學、德國亞琛工業大學、瑞士聯邦理工學院等國內外知名高校及研究機構的博士。
基本半導體掌握碳化矽核心技術，研發覆蓋碳化矽功率半導體的材料製備、晶片設計、晶圓製造、封裝測試、驅動應用等產業鏈關鍵環節，擁有智慧財產權兩百餘項，核心產品包括碳化矽二極體和MOSFET晶片、汽車級碳化矽功率模塊、功率器件驅動晶片等，性能達到國際先進水平，服務於光伏儲能、電動汽車、軌道交通、工業控制、智能電網等領域的全球數百家客戶。
基本半導體是國家級專精特新“小巨人”企業，承擔了國家工信部、科技部及廣東省、深圳市的數十項研發及產業化項目，與深圳清華大學研究院共建第三代半導體材料與器件研發中心，是國家5G中高頻器件創新中心股東單位之一，獲批中國科協產學研融合技術創新服務體系第三代半導體協同創新中心、廣東省第三代半導體碳化矽功率器件工程技術研究中心。
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