目前市場的電源供應器都在追求更高的轉換效率、功率密度與使用壽命，Si_MOSFET隨著技術的演進也從Panner技術轉換至今的Trench 技術或Shield-Gate技術，這也只是著重改善MOSFET本身的參數。近年來安森美半導體推出全新的Source-Down包裝的MOSFET來實現高轉換效率、

IQE022N06LM5SC 是英飛凌OptiMOS™ 5 功率系列之最 , MOSFET 規格為 60 V 採用 logic level ,  PQFN 3.3x3.3 源極向下(Source-down)雙面冷卻(DSC- Double Side Cooling )封裝，提供業界最低的導通電阻 R