Infineon 推OptiMOS™ 5 功率MOSFET 60 V logic level in PQFN 3.3x3.3 源極底置 DSC 封裝

IQE022N06LM5SC 是英飛凌OptiMOS™ 5 功率系列之最 , MOSFET 規格為 60 V 採用 logic level ,  PQFN 3.3x3.3 源極向下(Source-down)雙面冷卻(DSC- Double Side Cooling )封裝，提供業界最低的導通電阻 RDS(on)在25℃條件下和出色散熱性能。 OptiMOS™ Source-Down是一種革命性的設計，內部有一個倒裝矽芯片，它具有多種優勢，例如增強的熱容量、先進的功率密度和改進的佈局可能性。

IQE022N06LM5SC 結合創新的雙面冷卻封裝，其功耗比傳統包覆成型封裝高出三倍，適用於電信和數據服務器中常見的高功率密度和高性能 SMPS 產品。

外觀
                                                               
特徵描述

• Logic level允許更低的 Qrr 和 QOSS，並且更容易選擇柵極驅動器。
• 與當前技術相比，R_DS(on) 大幅降低，高達 30%。
• 相較於現有 PQFN 封裝技術，其 R_thJC 得到了改進。
• 全新優化佈局。

優勢

• 可實現最高功率密度和性能
• 出色的熱性能
• 優化佈局，有效利用PCB空間

潛在應用

• Telecom– DC-DC converter
• Server– DC-DC converter

參考於Infineon

https://www.infineon.com