安森美半導體Source-Down包裝

目前市場的電源供應器都在追求更高的轉換效率、功率密度與使用壽命，Si_MOSFET隨著技術的演進也從Panner技術轉換至今的Trench 技術或Shield-Gate技術，這也只是著重改善MOSFET本身的參數。近年來安森美半導體推出全新的Source-Down包裝的MOSFET來實現高轉換效率、高功率密度與長使用壽命。
     
傳統Drain-Down的包裝是將Drain極至於底層Leadframe上，一般Drain是有帶電的，那也會造成該Leadframe是有電的情狀，以至於Leadframe是無法直接透過PCB板直接散熱。全新Source-Down的包裝是將Source極至於底層Leadframe上，一般Source極是不帶電的，因此Source-Down的Leadframe是可以直接透過PCB板來散熱，所以Source-Down包裝熱阻表現會比傳統Drain-Down包裝來的出色。另外，Source極是直接在Leadframe上且不帶電可以不像Drain-Down包裝需要考慮PCB trace間距離與干擾問題，所以Source-Down包裝是可優化layout的布局。
     
新的Source-Down MOSFET有低導通阻抗RDS(ON)跟更佳熱阻表現，這全新的Source-Down產品適合在伺服器電源、通訊、Oring或電動工具機上的應用。安森美半導體目前有推出25V至60V Source-Down的MOSFET，有3x3(WDFN9)跟 5x6(TDFN9)大小。圖一所示為onsemi TDFN9 Source-Down包裝Bottom Side。圖二所示為onsemi DFN5x6 Drain-Down包裝Bottom Side。