在電源設計中，越來越重視系統效率和半導體器件的結溫. 在半導體器件中，電晶體是迄今為止最重要的一類。幾乎所有的電晶體都是三引腳器件(MOSFET, BJT, IGBT)，與二極體不同，它們有一個驅動引腳，這使它們對輸入信號與功率處理之間的相互作用更加敏感。 本應用手冊旨在說明如何評估功率 MOSFE

金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET）的安全操作區（SOA）曲線是一個重要的參考，它指出了元件在不同條件下可安全運作的範圍。為了確保電路的穩定性與可靠性，了解如何正確繪製SOA曲線至關重要。 推薦文章：【大大魚乾的類比電源講堂】--6.全波整流簡介及基本工作原理說明 大功率的開關元件例如BJT

本篇將介紹 TOSHIBA MOSFET 的 MOSFET SOA的 Temperature derating.如圖一所示,  圖一:MOSFET SOA(註一:Derating of the MOSFET Safe Operating Area) 這裡我們舉一個例子說明,當Tc= 100°C 計算

一般我們在MOSFET的選用上,都會初步的考慮MOSFET的VDS,IDS,Rdson,切換速度等參考,但時間裝上客戶產品時往往都需要考慮環境溫度或是暫態時的VDS/IDS等,通常不外乎就是用SOA 來評估MOSFET是否操作在安全工作區域(Safe Operating Area (SOA)),本篇

本篇將介紹 TOSHIBA MOSFET  安全工作區域(Safe operating area,SOA)中的secondary breakdown 曲線,如圖一所示, 圖一: MOSFET的安全工作區域曲線,(註一: MOSFET Secondary BreakdownApplication No

AOS MOSFET 寄生電容對SOA 的影響(四) 前三篇已經介紹理想的MOSFET的基本介紹，AOS POWER MOSFET和AOS Power Loss，本偏要來介紹對於SOA的影響，前半段會是講解Miller Effect(米勒效應) ，後半段會講解其對於SOA的影響。 米勒效應(Mill

下面圖示為2000年到2020年CoolMOS發展的歷程，其中關鍵品質因素(Rds-on與面積乘積)越小，表為MOSFET的製程能力與產品特性越好。在2008年有人提出Si材料製程的關鍵品質因素的極限為0.5，由於Si材料製程的發展有其限制，要讓關鍵品質因素可以更進一步的降低，就必須發展出新的半導體

作者：英飛凌工業半導體 周明 IGBT是大家常用的開關功率器件，本文基於英飛凌單管IGBT的數據手冊，對手冊中的一些關鍵參數和圖表進行解釋說明，用戶可以了解各參數的背景信息，以便合理地使用IGBT。 在上篇《IGBT單管數據手冊參數解析——上》中，我們介紹了IGBT的命名、最大額定值及靜態參數。今天

作者：英飛凌工業半導體  邱玉強 安全工作區(SOA)定義為IGBT可以預期在沒有自損壞或退化的情況下工作的電流和電壓條件，分為正向偏置和反向偏置安全工作區（FBSOA和RBSOA）。正向偏置安全工作區(FBSOA)定義了IGBT開啟期間的可用電流和電壓條件。反向偏置安全工作區(RBSOA)定義了I

SiC FET的導通阻抗Rds-on值會受到不同Vgs電壓的影響。在相同的溫度條件下，較高的SiC FET Vgs電壓會有較低的Rds-on值，可以進一步減少conduction loss， 因此在效率的表現上也會比較好。Infineon的SiC FET在Vgs建議電壓設計為15V~18V之間。 I