SiC FET的導通阻抗Rds-on值會受到不同Vgs電壓的影響。在相同的溫度條件下，較高的SiC FET Vgs電壓會有較低的Rds-on值，可以進一步減少conduction loss，
因此在效率的表現上也會比較好。Infineon的SiC FET在Vgs建議電壓設計為15V~18V之間。
Infineon的SiC FET在Vgs電壓關斷時，並不需要負壓來截止，只需維持在當Vgs=0V即可。因為太深的Vgs負壓，會導致Vgs,th產生偏移，讓Rds-on增加，
進而讓效率與溫度變差，進而影響到整體PSU的產品壽命。但為了考量到與其它競爭者的共用性問題，建議Vgs負壓控制在-2V以內。SiC FET對負壓的耐受
度為當Vgs=-2.5V可承受時間為30ns，而當Vgs=-5V可承受時間為15ns，Vgs,peak則為-7.5V
雖然SiC FET的Vgs對負壓有一定程度的耐受度，但Infineon仍建議在MOSFET G到S端之間並一diode來做為負壓的鉗制，對於負壓會有很好的的抑制效果。
SiC FET在SOA的曲線上幾乎呈現與silicon MOSFET一致的情形。在較短時交越時間條件下，則可以承受較高的電流，差別只在silicon MOSFET在Rds-on比較大。
SiC FET在封裝的選用上建議儘可能選用TO247-4pin封裝，因其具有driver source pin，可以幫助減少Eon與Eoff的power loss，特別是在重載的條件下，
對提升效率有很大的幫助。
產品總結：
由於SiC FET的產品具有很好的溫度特性，因此非常適合設計在大功率產品的設計與應用，同時各個供應商皆有相對應的包裝與相同的腳pin定義，不需要去
擔心替代料的來源與供貨短缺的問題。