N溝道800V STPOWER MOSFET MDmesh™ K6系列 515 mΩ（典型值），7 A MDmesh K6功率MOSFET，採用TO220-FP封裝 產品說明 這種超高電壓N溝道功率MOSFET依託意法半導體20年的超結技術經驗，採用出色的MDmesh™ K6技術設計而成。設計成果為

1. 前言 在現今日益注重永續發展和環保的社會中，電源效率已成為關鍵議題。對高效電源管理解決方案的需求持續激增。該領域的一個重要參與者是KEC最新一代600V超級接面金屬氧化物半導體場效應晶體管（SJ MOSFET）。 這種超級接面MOSFET具有更好的特性，例如快速開關時間、低導通電阻、低閘極充電

汽車級版本D N溝道1200 V STPOWER MOSFET，1.45 Ω典型值， 7 A MDmesh K5功率MOSFET，採用H2PAK封裝 產品說明 這款超高壓N-溝道功率MOSFET 採用MDmesh™ K5技術進行設計。該技術以創新型專有垂直結構為基礎。因此，在要求高功率密度和高效率的

N溝道800V STPOWER MOSFET MDmesh™ K6系列，515 mΩ典型值，7 A MDmesh K6功率MOSFET， 採用TO-220封裝 產品說明 這款超高電壓N溝道功率MOSFET依託意法半導體20年的超結技術經驗，採用終極MDmesh™ K6技術設計而成。設計出的產品具有極

作者：熊康明　英飛凌電源與傳感系統事業部 主任工程師 1).引 言 相信各位工程師在日常的電源設計中，當面對ZVS的場景時，經常會有如下的困惑：比如大名鼎鼎的LLC，工作在死區時，MOSFET 寄生二極體續流，當完成了對結電容的充放電之後，再打開MOSFET以降低器件的損耗。 細心的工程師可能就會發

N溝道800V STPOWER MOSFET MDmesh™ K6系列，STPOWER MOSFET MDmesh K6系列採用DPAK封裝 產品說明 這種超高電壓N溝道功率MOSFET依託意法半導體20年的超結技術經驗，採用終極MDmesh™ K6技術設計而成。設計成果為最佳單位面積導通電阻和柵極

汽車級N溝道650 V，89 mΩ（典型值），32 A MDmesh DM6半橋拓撲功率MOSFET，採用ACEPACK SMIT封裝  汽車級650V STPOWER MOSFET MDmesh DM6系列  產品說明 該器件在一個半橋拓撲中使用了兩個MOSFET。ACEPACK SMIT功率模塊