1. 前言
在現今日益注重永續發展和環保的社會中，電源效率已成為關鍵議題。對高效電源管理解決方案的需求持續激增。該領域的一個重要參與者是KEC最新一代600V超級接面金屬氧化物半導體場效應晶體管（SJ MOSFET）。
這種超級接面MOSFET具有更好的特性，例如快速開關時間、低導通電阻、低閘極充電、低EMI特性和優異的雪崩特性。主要適用於有功功率因子校正和開關模式電源。
KEC半導體的新一代的600V超級接面MOSFET元件，M3系列採用獨特的支柱紋波結構，在快速切換下具有較低開關損耗的出色性能，且不犧牲開關EMI雜訊，可實現高效率和高功率密度電源轉換系統。
2. 產品特色
► 漏源擊穿電壓VDSS=600V, ID=11A
► 漏源導通電阻 : RDS(ON)(Max)=380m @VGS=10V
► 總柵極電荷Qg(typ.)=17nC @VGS=10V
3. 內部方塊圖
4. 設計利益
KEC半導體推出了600V超級接面MOSFET器件KP380N60DM3適用於PFC/CCM(硬切換)及LLC/ZVS(軟切換)功率級。整體而言，新一代M3產品有四大設計利益:
► 適用於硬切換和軟切換（PFC 和 LLC）
► 低振鈴特性，易於使用和快速設計
► 低開關損耗，簡化了熱管理
► 適用於各種應用和功率範圍
5.結語
電源效率不僅是提高能源利用效率的關鍵，更是實現節能減碳目標的基石。KEC半導體推出的600V M3系列產品，採用獨特的支柱紋波，實現出色的體二極管反向恢復，非常適合用在PFC/LLC MOSFET，成為高頻開關模式電源的完美選擇！高效的電源轉換意味著更少的能源消耗，進而減少對燃煤、燃氣等高碳能源的需求，有助於減少二氧化碳等溫室氣體的排放。透過集體努力，我們有望實現更節能、更環保的未來。
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