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第二代CoolSiC™ MOSFET 1200V Q-DPAK封裝分立元件產品擴展
CoolSiC™ 1200V MOSFET（頂部散熱Q-DPAK單管封裝）專為工業應用設計，適用於電動車充電、光伏、不間斷電源（UPS）、固態斷路器（SSCB）、工業驅動、人工智慧（AI）及網聯自動駕駛車（CAV）等領域。
Q-DPAK 封裝透過簡化組裝流程並保持卓越的散熱性能，幫助客戶降低系統成本。與底部散熱方案相比，頂部散熱元件可實現更優化的 PCB 佈局，從而降低寄生元件和雜散電感的影響，同時提供增強的熱管理性能。
產品型號：
■IMCQ120R007M2H
■IMCQ120R010M2H
■IMCQ120R017M2H
產品特點
- SMD頂部散熱封裝
- 低雜散電感設計
- 採用CoolSiC™ MOSFET 1200V第二代技術，具備增強的切換性能和FOM係數
- .XT擴散焊
- 模塑化合物（CTI＞600）及模塑槽（CD＞4.8mm）
- 優異的耐濕性能
- 具備雪崩穩健性、短路耐受能力及功率循環可靠性
應用價值
- 更高功率密度
- 支持自動化組裝
- 簡化設計複雜度
- 卓越的熱性能表現
- 降低系統功率損耗
- 支援950V RMS工作電壓
- 高可靠性設計
- 降低整體成本
競爭優勢
- 更高的功率密度
- 相比於BSC封裝，顯著提升了熱性能。
- 簡化電氣設計流程
應用領域
- 光伏
- 電動車充電
- 不斷電系統UPS
- 固態斷路器
- 人工智慧
- 工業驅動
- CAV
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