隨著 AI 工作負載日益複雜且高耗能，能提供高能效並能處理高壓的可靠 SiC JFET 將越來越重要。我們將詳細介紹。安森美 (onsemi)SiC cascode JFET，內容包括Cascode（共源共柵）關鍵參數和並聯振盪的分析，以及設計指南。本文將繼續講解並聯的挑戰。 並聯的挑戰 ⭐並聯振盪

onsemi高性能 SiC 共源共柵 JFET 提供一流的開關速度、更低的開關損耗和更高的效率。它們提供高開關頻率，並提供超低導通電阻 （RDS （on）），起始僅為 5mΩ，使用的晶片尺寸不到任何其他技術的一半。 onsemi提供標準通孔（包括 Kelvin source）和表面貼裝封裝，具有出色

電力電子器件高度依賴於矽（Si）、碳化矽（SiC）和氮化鎵高電子遷移率電晶體（GaN HEMT）等半導體材料。雖然矽一直是傳統的選擇，但碳化矽器件憑藉其優異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較於矽，碳化矽具備多項技術優勢（圖1），這使其在電動汽車、數據中心，以及直流快充、儲能系統和光伏逆變器等能源基礎

在現代 Web 開發中，前端技術不斷演進，而 React 已成為最受歡迎的 JavaScript 前端框架之一。如果你想開發高效能、可維護的 Web 應用，React 絕對是你必須掌握的技術。 本篇文章將帶你認識 React 的核心概念、優勢以及如何開始開發 React 應用。 什麼是 React？

MERN Stack 入門筆記 最近在網上衝浪時看到一個叫做 MERN 的技術架構名詞，感覺很有趣，於是做個筆記，希望未來能多多熟悉這些 全端開發（Full-Stack Development） 技能。 什麼是 MERN？ MERN 是一個 全端（前端 + 後端） 架構，專為 JavaScript

一、前言         隨著現代科技的迅猛發展，半導體材料在電子和電力應用中的角色愈發重要。氮化鎵（Gallium Nitride，簡稱GaN）作為第三類半導體材料，因其優異的物理特性和性能表現，逐漸成為功率電子和高頻應用領域的焦點。GaN材料擁有高電子遷移率、高擊穿電壓和高熱導率等優勢，這些特性

LSM6DSV16X採用系統級封裝,採用三核芯架構，整合6軸MEMS IMU(慣性測量單元)和Qvar(電荷變化檢測)傳感器。LSM6DSV16X支持在邊緣設備上處理複雜任務，非常適用於手機光學/電子圖像防抖(OIS/EIS)、3D手機地圖構建、筆記本電腦和平板電腦的情境感知、XR和穿戴設備的運動姿

智能穿戴，即穿戴的智能化，意味著人們可通過智能穿戴設備更好地感知自身和外部信息。 從穿戴舒適性出發，設備必須小巧輕便，再加上獨立通信和應用場景多元化的趨勢，可穿戴設備具備小型化、智能化、可獨立使用的技術特性，成為提升消費者穿戴體驗的關鍵因素。 作為全球領先的平台型晶片設計企業，紫光展銳持續深耕智能穿

續航力更長、音質出色，為TWS耳機和AR／VR／MR耳機的首選感測器 服務橫跨多重電子應用領域的全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）新推出之LSM6DSV16BX是一款獨一無二的高整合度感測器，能夠為運動耳機和通用型入耳式耳機節省