onsemi高性能 SiC 共源共柵 JFET 提供一流的開關速度、更低的開關損耗和更高的效率。它們提供高開關頻率，並提供超低導通電阻 （RDS （on）），起始僅為 5mΩ，使用的晶片尺寸不到任何其他技術的一半。
onsemi提供標準通孔（包括 Kelvin source）和表面貼裝封裝，具有出色的成本效益。這些元件採用獨特的共源共柵配置，將高性能 SiC 快速 JFET 與共源共柵優化的 Si-MOSFET 集成在一起。這種創新方法可實現 SiC 元件的標準柵極驅動 （0-12V）。鑒於其更小的晶片尺寸以及與現有驅動器解決方案的相容性，SiC 共源共柵 JFET 提供了優化的系統性能和成本結構。
描述：
該 SiC JFET 器件基於獨特的“共源共柵”電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝，以產生常開 SiC FET 器件。該元件的標準柵極驅動特性允許真正「直接替代」矽 IGBT、矽 FET、碳化矽 MOSFET 或矽超結器件。
具有超低柵極電荷和出色的反向恢復特性，以及任何需要標準柵極驅動的應用。
SiC cascode(共源共柵) JFET等效架構：
特徵：
典型導通電阻 RDS（on） < 5.4mohm
最高工作溫度 175 °c
出色的反向恢復
低柵極電壓
低綜合电容
ESD 保护，HBM 2 级
极低的开关损耗（在典型工作条件下所需的 RC 缓冲器损耗可以忽略不计）
符合 AEC-Q101 标准并支持 PPAP
该器件无铅、无卤素，符合 RoHS 规范
典型应用：
电动汽车充电 光伏逆变器 开关模式电源 功率因数校正模块 电机驱动器 感应加热等
Onsemi SiC Cascode JFET的品質因數 （FoM）:
從漏極到源極的導通損耗最低,從源極到漏極的最低導通損耗,最低的輸出電容, 進而增強系統穩健性:,高效率, 低雜訊/EMI, 快速 di/dt 無故障機制增強的系統穩健性.
總結: onsemi SiC 共源共柵 JFET - 靈活的柵極驅動: 可直接替換IGBTs，矽超級結MOSFETs和SiC MOSFETs。
創新的共源共柵配置可實現 Si 和 SiC 柵極電壓相容性 。
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