功率MOSFET管的閾值電壓VGS(th)，在數據表中定義的測量條件為：VDS=VGS，ID=250uA，對應測試電路如圖1所示。                                                                                    

一、電容對電壓的影響 當電容器接入電路時，會影響電壓的變化速度。當電容器充電時，電容器內部的電壓會隨著時間逐漸增加，直到電容器內部電壓與電源電壓相等。而當電容器放電時，電容器內部的電壓會隨著時間逐漸降低，直到電容器內部電壓降至零。因此，在電路的充電和放電過程中，電容器的電壓會隨時間改變，從而影響電路

在三相圖騰柱PFC為了獲得更好的控制效果，電壓感測器迴路不僅設計了外部硬體濾波器，還增加了軟體的數位濾波器來實現。公式如下所示: GAF(s)代表硬體濾波器的傳遞函數。GDF(s)可根據BUS電壓採樣的電路參數計算得出，公式如下： 下圖為BUS電壓採樣電路的設計: GDF(s)代表數位濾波器的傳遞函

針對工業及大電流應用對功率需求的不斷提升，AOS推出創新型GTPAK功率MOSFET封裝方案。該封裝採用頂部散熱技術，透過大面積裸露焊盤將熱量高效傳導至散熱片，顯著提升功率密度和散熱效率，相較於傳統PCB底部散熱方式具有明顯優勢。GTPAK封裝不僅支援使用FR4等經濟型PCB材料以降低成本，其獨特的

只需6個外部元件即可實現超過90%的轉換效率 意法半導體新款微型單片降壓轉換器DCP3601集成大量功能，具有更高的設計靈活性，可以簡化應用設計，降低物料清單成本。這款晶片內建功率開關與補償電路，構建完整的輸出電壓設定電路，僅需電感器、自舉電容、濾波電容、回授電阻等6個外部元件。 3.3V至36V寬

英飛凌推出適用於IGBT、SiC和GaN閘極驅動器電源的EiceDRIVER™ Power 2EP1xxR全橋變壓器驅動器系列，為設計人員提供了隔離式閘極驅動器電源解決方案。該系列半導體元件可以幫助實現非對稱輸出電壓，以經濟高效且節省空間的方式為隔離式閘極驅動器供電。因此，2EP1xxR特別適用於需

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一、背景        在電池管理系統（BMS）中，電壓採樣精度至關重要。電池的性能和安全性直接依賴於對其電壓狀態的準確監測。高精度的電壓採樣能夠及時反映電池的充放電狀態，確保電池在安全範圍內運行，防止過充、過放等情況的發生，從而延長電池的使用壽命。此外，精確的電壓數據還可以幫助 BMS 進行更有效