本篇幅主要為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化矽 (SiC) 等寬帶隙半導體器件用作電子開關的優勢，以及如何權衡利弊。主要權衡因素之一是開關損耗，開關損耗會被高 di/dt 和 dv/dt 放大，造成電路噪聲。為了減少電路噪聲，需要認真考慮柵極電阻的選擇，從而不必延長死區時間而造成功率損耗。本文介紹

搞電機應用或者電源應用的小夥伴基本都脫離不了半橋、全橋， 常見的半橋電路如下，由兩個 MOS 組成，Q1 的 D極連接了 VBUS ，S 極連接了Q2的 D 極，Q2 S 極連接到 GND ，中間 SW 引腳則接去電機或者電感。   MOS 是一個開關，由 GS 電壓控制開關和導通，由於 MOS 開