作者：英飛凌工業半導體
許多應用都出現了採用更小 IGBT模塊，將複雜設計轉移給產業鏈上游的明顯趨勢。為了順應小型化和集成化的全球趨勢，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出了4.5kV XHP™ 3 IGBT模塊，用於改變目前採用兩電平和三電平拓撲結構、使用2000V至3300V交流電壓的中壓變頻器（MVD）與交通運輸的應用市場。這款新半導體器件將給諸多應用帶來裨益，包括大型傳送帶、泵、高速列車、機車以及商用、工程和農用車輛（CAV）。
XHP™系列包括一款帶有一個發射極控制續流二極體和TRENCHSTOP™ IGBT4 450A半橋IGBT模塊，以及一款帶有發射極控制E4二極體的450A二極體半橋模塊。這兩個模塊的絕緣電壓均提高至10.4kV。這對組合有助於在不降低效率的情況下簡化並聯並且縮小尺寸。以前，並聯模塊需要複雜的母線，令設計工作變得複雜且會增加電感。XHP™系列採用了創新的設計，通過將模塊並排放置簡化了並聯設計，這也使得模塊在並聯時只需要一個直流母線即可實現。
4.5kV XHP™系列還使得開發人員在設計過程中能夠減少元器件的使用數量。傳統的IGBT解決三電平方案需要多個單IGBT開關和一個半橋二極體，而使用新器件的設計只需要兩個半橋開關和一個更小的半橋二極體，這對驅動的集成化是一個重大的進步。
FF450R45T3E4_B5雙開關與DD450S45T3E4_B5雙二極體的組合可顯著節省成本並縮小占板面積。例如，英飛凌過去的IGBT解決方案需要四個140x190mm²或140x130mm² IGBT模塊以及一個140x130mm²雙二極體模塊。而全新的XHP系列產品能夠將所需的模塊數量減少至兩個140x100mm²IGBT雙開關和一個更小的140x100mm²雙二極體模塊。
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