在工業應用中，功率半導體的驅動電源功率不大，設計看似簡單，但要設計出簡單且低成本的電路並不容易，主要的難點有以下幾點： 電路要求簡潔，佔用電路板的面積要小。 一個EasyPACK™ 2B 1200V 100A六單元IGBT模組，周長20公分，占板面積27平方公分，非常小，在四周要安排佈置6路驅動和4

端到端垂直整合，提升市場競爭力 安森美在SiC領域有著深厚的歷史積澱，是目前為數不多具有端到端垂直整合能力的大型SiC供應商，包括SiC晶錠生長、襯底、外延、晶圓製造、同類最佳的集成模塊和分立封裝解決方案，並積極加速對SiC襯底和外延進行擴產，包括近期在美國哈德遜、捷克Rozov、韓國富川等工廠的擴

上回書英飛凌晶片簡史說到，IGBT自面世以來，歷經數代技術更迭，具有代表性的技術包括平面柵+NPT結構的IGBT2、溝槽柵+場截止結構的IGBT3和IGBT4，以及表面覆銅及銅綁定線的IGBT5等。現今，英飛凌IGBT晶片的「當家掌門」已由IGBT7接任。IGBT7採用了微溝槽（micro patt

新品 2EP1xxR - 頻率和占空比可調的驅動電源用20V全橋變壓器驅動器 2EP1xxR 是一款用於 IGBT、GaN 和 SiC 驅動電源的全橋變壓器驅動器 IC 系列，採用緊湊型 TSSOP 8 引腳封裝，具備功率整合與優化功能，可產生非對稱輸出電壓，為隔離柵極驅動器供電。 由於具備獨特的占

新品 670V TRENCHSTOP™ IGBT7 PR7 搭配反並聯二極體的 TO-247-3 大爬電距離與電氣間隙封裝 該產品專門針對RAC/CAC和HVAC等升壓PFC電路進行了優化。它是TRENCHSTOP™ IGBT 5的後續產品，具有更好的EMI特性、同類最佳的可靠性和穩健性，可為大功率

新品 3300V，1200A IGBT4 IHV B模組 知名的IHV B 3.3kV單開關IGBT模組經過了重大改進，以滿足牽引和工業應用（如中壓傳動或HVDC）當前和未來的需求。 其最新推出的產品組合類型是經過優化的IGBT和二極體比例，FZ1200R33HE4D_B9足以取代英飛凌和競爭對手的

/ 前言 / 功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化矽SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，並保證系統的可靠性。 功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。 為什麼引入結構函數？ 在功

/ 前言 / 功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化矽SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，並保證系統的可靠性。 功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。 任何導熱材料都有熱阻，而且

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/ 前言 / 功率半導體熱設計是實現IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，並保證系統的可靠性。 功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。   有了熱阻熱容的