熱泵簡介 熱泵，英文heat pump，它有2個定義，定義1：從低溫熱源吸熱送往高溫熱源的循環設備。定義2：以消耗一部分高品位能源(機械能、電能或高溫熱能)為補償,使熱能從低溫熱源向高溫熱源傳遞的裝置。所以，熱泵廣泛用於冬天取暖，產生熱水，工業烘乾，溫室養殖等。 簡單講，熱泵就是一個能量的搬運工，對...more

作者：英飛凌官微 英飛凌科技推出分立式650V IGBT7 H7新品，進一步擴展其第七代TRENCHSTOP™ IGBT產品陣容。全新器件配備尖端的EC7共封裝二極體，先進的發射器控制設計結合高速技術，以滿足對環保和高效電源解決方案日益增長的需求。TRENCHSTOP™ IGBT7 H7採用最新型微...more

在上一篇我們簡單分享了MOSFET，此篇我們也簡單介紹一下MOSFET的老大哥：IGBT IGBT除了憑藉其驅動功率小、導通壓降低和控制電路簡單的特點外，以下來和大家來詳細地介紹一下 IGBT>>> IGBT即絕緣柵雙極電晶體，是由BJT和MOS組成的複合全控型電壓驅動功率半導體器件。它將前級的電壓...more

英飛凌的650V、1200V多種特性的IGBT7產品全面上市，將全面替代上一代產品。更好的特性和更大的電流規格拓展了應用場景，頻率範圍和系統功率等級。   H7是IGBT7 4種單管晶片中的高速版本，有650V和1200V兩個電壓等級，它們的導通損耗和開關損耗都非常低，可以實現卓越的系統效率，尤其是...more

英飛凌的650V、1200V多種特性的IGBT7產品全面上市，將全面替代上一代產品。更好的特性和更大的電流規格，拓展了應用場景，頻率範圍和系統功率等級。   這些晶片是基於12英寸晶圓開發和生產的，生產基地在德國的德勒斯登和奧地利。   2022財年財報中宣布英飛凌德勒斯登的新廠投資，計劃繼續擴大其...more

採用IGBT7中功率E7晶片62mm模塊於2023年７月份正式上市，半橋和共發射極模塊的最大標稱電流達800A，實現了62mm模塊的最高功率密度。同期推出的共發射極模塊目標應用是構建T字型三電平和固態斷路器。單模塊可實現高達100千瓦的驅動系統，三電平及並聯運行時可達兆瓦級。   該系列模塊最高連續...more

  在電力電子系統設計之初，對功率器件進行電性能和熱性能的仿真必不可少。英飛凌特別準備了仿真模型和工具培訓系列視頻。第一部分講了SPICE仿真模型及其校準、精度和用法（《英飛凌單管功率器件的SPICE模型解析及使用方法》），本期視頻是第二部分，將講解英飛凌單管IGBT的PLECS仿真模型，包括PLE...more

IGBT分立器件一般由IGBT和續流二極體（FWD）構成，續流二極體按材料可分為矽材料和碳化矽材料，按照器件結構可分為PIN二極體和肖特基勢壘二極體（SBD）。 材料與結構兩兩組合就形成了4種結果：矽PIN二極體、碳化矽 PIN二極體、矽肖特基二極體、碳化矽肖特基二極體。 在本篇文章中我們將重點闡述...more

2023 年 9 月 11 日，中國 – 意法半導體新系列 IGBT電晶體將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保電晶體在所有工作條件下具有更大的設計餘量、耐變性能和更長久的可靠性。   新推出的 STPOWER IH2系列IGBT還提高了功率轉換能效，相關參數十...more

功率半導體是電子裝置電能轉換與電路控制的核心。功率半導體是一 種廣泛用於電力電子裝置和電能轉換和控制電路的半導體元件，可通過半 導體的單嚮導電性實現電源開關和電力轉換的功能。 IGBT 具有電導調製能力，相對於 MOSFET 和雙極電晶體具有較強的 正向電流傳導密度和低通態壓降，因此兼具有 MOSF...more