更為節能的功率元件-東芝發布150V N溝道功率MOSFET，具有業界領先的低導通電阻和改進的反向恢復特性，有助於提高電源效率

日本川崎-東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”） 推出了一款150V N溝道功率MOSFET TPH9R00CQ5。該產品採用最新一代^[2]U-MOSX-H製程，可用於工業設備開關電源，如資料中心和通訊基地台使用的電源。產品即日起開始出貨。

TPH9R00CQ5具有業界領先的^[1]9.0mΩ（最大值）低漏極-源極導通電阻，與東芝現有產品TPH1500CNH1^[3]相比降低了約42%。與東芝現有產品TPH9R00CQH^[4]相比，反向恢復電荷降低了約74%，反向恢復^[5]時間縮短了約44%，這都是同步整流應用所需的關鍵反向恢復特性。

導通電阻 (RDSON)
與上一代相比，RDS(ON) 降低

註:圖片作者:東芝半導體/來源網址:https://toshiba.semicon-storage.com/tw/semiconductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets/articles/u-mos-x-h-series-150v-mosfet-ideal-for-efficient-switching-power-supplies.html

輸出電荷 (Qoss)
與同一導通電阻器中的上一代產品相比，Qoss 有所降低


註:圖片作者:東芝半導體/來源網址:https://toshiba.semicon-storage.com/tw/semiconductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets/articles/u-mos-x-h-series-150v-mosfet-ideal-for-efficient-switching-power-supplies.html


在同步整流應用^[6]中，新產品可降低開關電源的功率損耗，提高效率。此外，與TPH9R00CQH相比，新產品降低了開關期間產生的尖峰電壓，有助於減少電源的電磁干擾。
該產品採用通用的表面黏著型SOP Advance(N)封裝。

反向恢復電荷 (Qrr)

註:圖片作者:東芝半導體/來源網址:https://toshiba.semicon-storage.com/tw/semiconductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets/articles/u-mos-x-h-series-150v-mosfet-ideal-for-efficient-switching-power-supplies.html

東芝還提供支援開關電源電路設計的工具。除了可以在短時間內驗證電路功能的G0 SPICE模型外，能夠準確再現瞬態特性的高精密度G2 SPICE模型現在也已上市。

東芝還開發了採用新產品的「用於電信設備的1 kW非隔離Buck-Boost DC-DC 轉換器」和「採用MOSFET的三相多電平逆變器」參考設計。
這些設計即日起在東芝官網上線。新產品還可用於已經發布的「1 kW全橋DC-DC 轉換器」參考設計。

東芝將繼續擴大功率MOSFET產品陣容，以減少功率損耗，提高電源效率和幫助改善設備效率。

註:圖片作者:東芝半導體/來源網址:https://toshiba.semicon-storage.com/tw/company/news/news-topics/2023/03/mosfet-20230330-1.html

注釋：

[1] 截至2023年3月。與其他150V產品比較。東芝調查。
[2] 截至2023年3月。
[3] 使用現有生成製程U-MOSVIII-H的150V產品
[4] 產品採用與TPH9R00CQ5相同的生成製程，並具有相同的電壓和導通電阻
[5] MOSFET主體二極體從正向偏置切換到反向偏置的開關動作。
[6] 如果新產品用於不進行反向恢復操作的電路，則功率損失相當於TPH9R00CQH的水準。

參考設計: “用於電信設備的1 kW非隔離Buck-Boost DC-DC 轉換器”

註:圖片作者:東芝半導體/來源網址:https://toshiba.semicon-storage.com/tw/company/news/news-topics/2023/03/mosfet-20230330-1.html

參考設計: “採用MOSFET的三相多電平逆變器”

註:圖片作者:東芝半導體/來源網址:https://toshiba.semicon-storage.com/tw/company/news/news-topics/2023/03/mosfet-20230330-1.html