東芝推出具有更低導通電阻的小型化超薄封裝共漏極MOSFET，適用於快充設備

東芝電子元件及儲存裝置株式會社（“東芝”）今日宣佈，推出額定電流為20A的12V共漏極N溝道MOSFET“SSM14N956L”，該器件可用於行動裝置鋰離子（Li-ion）電池組中的電池保護電路。 該產品開始支援批量出貨。


註:圖片作者:東芝半導體/來源網址:https://mp.weixin.qq.com/s/_TH2JxSbW7RvnqlG2c-MUg

鋰離子電池組依靠高度穩定的保護電路來減少充放電時產生的熱量，以提高安全性。 這些電路必須具有低功耗和高密度封裝的特性，同時要求MOSFET小巧纖薄，且具有更低的導通電阻。

SSM14N956L採用東芝專用的微加工工藝，已經發佈的SSM10N954L也採用該技術。 憑藉業界領先^[1]的低導通電阻特性實現了低功耗，而業界領先^[1]的低柵源漏電流特性又保證了低待機功耗。 這些特性有助於延長電池的使用時間。 此外，新產品還採用了一種新型的小巧纖薄的封裝TCSPED-302701（2.74mm×3.0mm，厚度=0.085mm（典型值）。

東芝將繼續開發用於鋰離子電池組供電設備中的保護電路的MOSFET產品。

應用

● 家用電器採用鋰離子電池組的消費類電子產品以及辦公和個人設備，包括智慧手機、平板電腦、充電寶、可穿戴設備、遊戲控制器、電動牙刷、迷你數碼相機、數碼單反相機等。

特性

● 業界領先的^[1]低導通電阻：R_SS（ON）=1.1mΩ（典型值）@V_GS=3.8V

● 業界領先的^[1]低柵源漏電流：I_GSS=±1μA（最大值）@V_GS=±8V

● 小型化超薄TCSPED-302701封裝：2.74mm×3.0mm，厚度=0.085mm（典型值）

● 共漏極結構，可方便地用於電池保護電路

主要規格

註:圖片作者:東芝半導體/來源網址:https://mp.weixin.qq.com/s/_TH2JxSbW7RvnqlG2c-MUg

注：

[1] 截至2023年5月的東芝調查，與相同額定值的產品進行比較。

[2] 已發佈產品。