作者：英飛凌官微
該產品系列搭載了快速恆定導通時間（COT）引擎，且配備了SVID和I2C/PMBus數字接口，可以為服務器等應用提供高能效解決方案。
隨著人工智慧（AI）技術在大規模數據中心裡的應用，整個市場對更高性能的半導體器件的需求也將持續增加。這一趨勢使得為智能的企業級系統創建高功率密度、高能效的解決方案成為了一大挑戰。為了解決這一挑戰，英飛凌科技近日推出了全新的OptiMOS™ 5 IPOL系列降壓穩壓器。該產品系列具有符合VR14標準的SVID和I2C/PMBus數字接口，適用於英特爾和AMD的服務器CPU及網絡ASIC/FPGA。這些器件採用5 x 6 mm² PQFN封裝，可為新一代服務器、存儲、電信和數據通信應用以及分布式電源系統提供一種簡單易用的、完全集成的高能效解決方案。
OptiMOS™ IPOL單輸出同步降壓穩壓器TDA38640可提供高達40 A的輸出電流。該器件帶有英特爾SVID和I2C/PMBus數字接口，使得客戶無需對BOM（材料清單）信息做重要修改，即可將其應用於符合英特爾VR12、VR12.5、VR13、VR14、IMPVP8規範的設計以及DDR存儲器。英飛凌的TDA38740和TDA38725數字IPOL降壓穩壓器配備有PMBus接口，能夠分別支持高達40 A和25 A的輸出電流。這三款新器件均搭載了英飛凌專有的恆定導通時間（COT）PWM引擎，能夠實現業界領先的瞬態響應能力，同時降低產品使用時的開發設計難度。
藉助板載PWM控制器和集成自舉二極體的OptiMOS™ FET，這幾款新器件支持高效的功率傳輸和較小的占板面積。此外，它們還具有必要的通用性，可在更加寬泛的輸入和輸出電壓範圍內工作，同步實現400kHz至2MHz的可編程開關頻率。多重時間編程（MTP）存儲器支持在設計和大批量製造過程中進行定製，大大縮短了產品的設計周期和上市時間。此外，這些器件提供數字可編程負載線，無需外部元器件的助力，即可通過配置寄存器進行設置，從而簡化了BOM。英飛凌還提供配套的XDP™ Designer GUI（圖形用戶界面）等支持工具，以便客戶輕鬆地進行器件配置，並將其存儲在片上存儲器中。
在提高高壓電源的性能、效率和可靠性的同時，也需要減少元器件的數量和BOM(材料清單)成本,並降低所需的設計工作量。為了滿足這些需求，英飛凌科技推出第五代固定頻率（FF）CoolSET™ 產品組合，旨在提供合適的關鍵器件，以優化設計。英飛凌全新的800V和950V AC-DC集成式功率級（IPS）產品均採用DIP-7封裝，可滿足家用電器輔助電源、AC-DC轉換器、電池充電器、太陽能系統以及電機控制和驅動等應用的需求。
固定頻率 CoolSET™解決方案在單個封裝內集成了PWM控制器IC和最新的高壓CoolMOS™ P7超結（SJ）MOSFET。擴展後的產品組合包含市場上首款集成了950V具有耐雪崩擊穿能力的超結MOSFET的功率半導體器件，支持更寬的輸入電壓范圍。新器件同時支持隔離和非隔離的拓撲結構包括Flyback和Buck，可以在100 kHz和65 kHz的開關頻率下工作。用一個器件同時支持低系統成本的Buck和通用的Flyback，可簡化客戶的供應鏈; 集成的誤差放大器支持原邊反饋，這是非隔離式拓撲結構的典型特徵，該特性還進一步減少了器件的數量和設計的複雜性。
集成軟驅動和抖頻率的降頻模式減輕了電磁干擾，並提高了中、輕負載條件下的效率。支持連續導通模式（CCM）和不連續導通模式（DCM），在低壓輸入條件下，CCM可以降低導通損耗，從而提高效率，滿足國際能效標準。集成的MOSFET支持諸如單相智能電錶和工業應用相關的超寬輸入電壓範圍。另外，該產品還有助於優化緩衝電路的設計，進一步提高效率及降低待機功耗。
所有新產品都集成多種的自恢復保護功能，在發生故障時通過自動重啟功能支援供電系統。完善的保護功能再加上超結 MOSFET的高擊穿電壓特性，進一步提高了供電的穩定性。此外，主動突發模式（ABM）改善了輕載性能並實現了超低待機功耗，而且輸出電壓紋波小且可控。
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