東芝新推出了一款額定值為1350V／30A的離散式IGBT——GT30N135SRA，擴充了其產品線。該產品主要適用於採用AC200V輸入電壓諧振電路的家用電器，例如IH電磁爐、IH電鍋和微波爐。
新產品GT30N135SRA的集電極額定電流為30A[1]，現有產品GT20N135SRA的1.5倍。這使得它的控制功率容量增加到了2400W。並且集電極-發射極飽和壓降典型值降到1.65V[2]，同時二極體正向壓降典型值降到1.75V[3]，降低導通損耗和關斷損耗，從而降低總損耗。
與現有產品相同，本產品通過抑制飽和電流來抑制短路電流，可以抑制家用電器啟動時產生的諧振電容器短路電流，另外本產品短路電流峰值降低了40%左右，並將非重複性集電極峰值電流抑制在260A或更低。
GT30N135SRA遵循現有產品的理念，通過降低導通損耗來降低設備功耗，抑制短路電流。
東芝半導體不斷改進用於電壓和電流諧振的 IGBT 的性能，第 4 代及更早代 IGBT 採用穿通 (PT) 技術使用厚晶圓製造，第 5 代和第 6 代也是 PT IGBT，但使用薄晶圓製造，以實現更好的正向和開關特性，目前6代是主打產品，具有薄 PT結構的 IGBT 稱為場截止 (FS) IGBT，由於場截止IGBT具有非常薄的P集電極層（稱為透明P集電極層），因此很容易在集電極層中形成N層，利用這一特性，東芝開發了反向導通的第6.5代 IGBT (RC-IGBT)。
新產品GT30N135SRA的集電極額定電流為30A[1]，現有產品GT20N135SRA的1.5倍。這使得它的控制功率容量增加到了2400W。並且集電極-發射極飽和壓降典型值降到1.65V[2]，同時二極體正向壓降典型值降到1.75V[3]，降低導通損耗和關斷損耗，從而降低總損耗。
與現有產品相同，本產品通過抑制飽和電流來抑制短路電流，可以抑制家用電器啟動時產生的諧振電容器短路電流，另外本產品短路電流峰值降低了40%左右，並將非重複性集電極峰值電流抑制在260A或更低。
GT30N135SRA遵循現有產品的理念，通過降低導通損耗來降低設備功耗，抑制短路電流。
注：
[1] @Tc=100 °C
[2] @IC=30 A, VGE=15 V, Ta=25 °C （脈衝測試）
[3] @IF=30 A, VGE=0 V, Ta=25 °C （脈衝測試）
應用
僅適用於家用電器電壓諧振
- IH 電鍋
- IH 電磁爐
- 微波爐等
特性
- 6.5代RC結構（內置二極體）
- 低集電極-發射極飽和電壓：VCE(sat)＝1.65V（典型值） @IC＝30A，Ta＝25°C
- 低二極體正向電壓：VF＝1.75V（典型值） @IF＝30 A，Ta＝25 °C
東芝IGBT世代的演進
東芝半導體不斷改進用於電壓和電流諧振的 IGBT 的性能，第 4 代及更早代 IGBT 採用穿通 (PT) 技術使用厚晶圓製造，第 5 代和第 6 代也是 PT IGBT，但使用薄晶圓製造，以實現更好的正向和開關特性，目前6代是主打產品，具有薄 PT結構的 IGBT 稱為場截止 (FS) IGBT，由於場截止IGBT具有非常薄的P集電極層（稱為透明P集電極層），因此很容易在集電極層中形成N層，利用這一特性，東芝開發了反向導通的第6.5代 IGBT (RC-IGBT)。
產品規格
注：
[4] 新產品
[5] @IC=20 A, VGE=15 V, Ta=25 °C （脈衝測試）
[6] @IF=20 A, VGE=0 V, Ta=25 °C （脈衝測試）
內部電路
應用電路示例
感應加熱原理
以下範例為感應加熱將電能轉換為熱能
-圖(a)顯示一個電流諧振使用 IGBT 的電路
-圖(b)顯示了一個加熱線圈 (並流過Lr的電流) 和被加熱的鍋
-圖(c)線圈周圍形成磁場， 磁場產生電鍋內的電流稱為渦流，由鍋的表面電阻而產生熱(焦耳)
注：
本文所示應用電路僅供參考。
需要進行全面評估，特別是在量產設計階段。
提供這些應用電路示例並不授予任何工業產權許可。