在5G 時代,終端應用如:物聯網、核心網或是雲端數據中心,都需重建大量硬體設備以滿足高速傳輸與各種物聯網應用。各類 5G 設備的電源要求需符合高功率且小體積（即高功率密度）與智慧化電源管理的標準，以實現 5G 通訊環境中高頻化和低耗損的特色,在電源設計上就必須往超效率和高功率密度前進,Toshiba在高效高功率密度電源上除了提供了Super junction MOSFET(DTMOS VI),還提供了Sic Diode可應用在PFC線路上,如下圖.
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此線路為Interleaved PFC,線路上使用了兩顆Toshiba Sic Diode TRS6E65F,(此輸入電壓為230VAC,所以使用了650V的Sic Diode)
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此線路為Interleaved PFC,線路上使用了兩顆Toshiba Sic Diode TRS6E65F,(此輸入電壓為230VAC,所以使用了650V的Sic Diode)
TRS6565F規格如下:
目前Toshiba Sic solution主推650V包裝則有TO-220絕緣與非絕緣,TO-247,未來還會發展DFN8*8提供客戶更多選擇方便設計,電流方面TO-220絕緣與非絕緣從2A-12A,TO-247則從12A-24A
如下圖提供參考:
