因應市場對於碳化矽 (SiC) 解決方案快速成長的需求，英飛凌科技 推出 1200V CoolSiC™ MOSFET 系列新產品。CoolSiC Easy 2B 電源模組協助工程師藉由提高功率密度而降低系統成本。此外，也有助於大幅降低營運成本。由於相較於矽 IGBT，其開關損耗可降低約 80％，因此可達到超過 99% 的變頻器效率水準。也由於 SiC 特性，可實現相同或甚至更高的開關頻率運作。這對於 UPS 和能量儲存等快速切換應用特別具有吸引力。
Easy 2B 電源模組的標準封裝具有領先業界的低雜散電感特性。透過各種半橋、六單元及升壓器模組，英飛凌可提供市面上最廣泛的 Easy 封裝 SiC 產品組合。CoolSiC Easy 2B 的半橋配置可輕鬆用於構建四單元和六單元拓撲。新產品擴增了半橋拓撲模組的功率範圍，每個開關的導通電阻 RDS(ON)) 僅 6 mΩ，為Easy 2B 封裝之裝置立下標竿效能。
此外，CoolSiC MOSFET 晶片的整合式本體二極體可確保低損耗飛輪功能，無需另外的二極體晶片。NTC 溫度感測器有助於監控裝置，PressFIT 技術則可縮短裝置的組裝時間。
供貨情形
目前CoolSiC MOSFET Easy 2B 模組已經開始供貨。英飛凌近期亦推出第一款採用 Easy 1B 封裝的 CoolSiC™ MOSFET 六單元模組， RDS(ON) 為 45 mΩ。詳細資訊請瀏覽 www.infineon.com/coolsic-mosfet。
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