東芝電子元件及儲存裝置株式會社（簡稱「東芝」）現已推出一款N通道功率MOSFET「TK024N60Z1」。該產品基於DTMOS Ⅵ 600 V系列的技術，並且具有Super Junction結構。此元件適用於資料中心的伺服器、工業設備的電源供應器（SMPS）以及太陽能的相關應用。
近年來，為了提高電源電路的效率，對低導通電阻產品的需求不斷增加。為滿足這種需求，東芝專門開發了該產品。 TK024N60Z1實現了0.024 Ω（最大值）的導通電阻，是DTMOS Ⅵ 600 V系列中導通電阻最低的產品[1] ，並降低了導通損耗。提高了電源效率，減少了熱能的產生。
此外，本產品採用TO-247封裝，可用於多種散熱方式，提高散熱性能。
透過優化閘極設計和技術， DTMOS Ⅵ 600 V系列（包括新產品），與東芝傳統DTMOSIV-H系列產品相比，在相同VGS電壓，單位面積的導通電阻值降低了約13 %，導通電阻與閘-汲極電荷乘積（MOSFET性能的品質因數）降低了約52%。此外，東芝還提供模擬用模型，用於支援電源供應器（SMPS）的電路設計。除了可以在短時間內驗證電路功能的G0 SPICE模型外，現在還提供可以精準重現瞬態特性的高精度G2 SPICE模型。
東芝將持續擴大DTMOS Ⅵ系列產品線，並透過降低電源供應器（SMPS）的功率損耗來達成節能需求。
註：
[1] 截止2025年1月的東芝調查。
特性
- DTMOS Ⅵ系列的最小導通電阻（0.024 Ω（最大）（V GS ＝10 V））
- 低R DS(ON) × Q gd （導通電阻與閘-汲極電荷乘積）支援電源供應用（SMPS）的高效率
特性說明
1.DTMOS Ⅵ系列的最小導通電阻（0.024 Ω（最大） （V GS ＝10 V））
在DTMOS Ⅵ系列中，TK024N60Z1實現了最低的導通電阻（0.024 Ω（最大值）（V GS ＝10 V））， 將導通損耗最小化，從而幫助提高電源效率。
電路範例
功率因數校正（PFC）電路
Totem-pole PFC
LLC DC/DC converter
- 低 RDS(ON)×Qgd(導通電阻與閘-汲極電荷乘積）以及電源供應器（SMPS）的高效率
透過優化閘極設計和技術， DTMOS Ⅵ 600 V系列（包括新產品），與東芝傳統DTMOSIV-H系列產品相比，在相同VGS電壓，單位面積的導通電阻值降低了約13 %，導通電阻與閘-汲極電荷乘積的乘積（MOSFET性能的品質因數）降低了約52%。
這意味著DTMOS Ⅵ系列在導通損耗與切換損耗之間實現了更佳的權衡，有助於提高電源供應器（SMPS）的效率。
RDS(ON)×Qgd 特性曲線[2]
註：
[2]上述數值均由東芝測量。
應用
- 電源供應器（資料中心伺服器等）
- 太陽能的相關應用
- 不間斷電源（UPS）
主要規格
(在T a ＝25 °C條件下，除非另有規定)
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型號 |
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封裝 |
名稱 |
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尺寸 (mm) |
典型值 |
15.94×20.95×5.02 |
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絕對 最大 額定值 |
汲-源極電壓 VDSS (V) |
600 |
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汲極電流 (DC) ID (A) |
80 |
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結溫Tch (°C) |
150 |
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電力 特性 |
導通電阻 RDS(ON) (Ω) |
VGS=10V |
最大值 |
0.024 |
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閘極電荷總量 Qg (nC) |
典型值 |
140 |
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閘-汲極電荷 Qgd (nC) |
典型值 |
37 |
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輸入電容 Ciss (pF) |
典型值 |
8420 |
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庫存查詢與購買 |
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相關連結
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