<img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/vendornews/2025/23305/tinymce/______1.jpg" alt="" /> 
東芝電子元件及儲存裝置株式會社（簡稱「東芝」）現已推出一款N通道功率MOSFET「TK024N60Z1」。該產品基於DTMOS Ⅵ 600 V系列的技術，並且具有Super Junction結構。此元件適用於資料中心的伺服器、工業設備的電源供應器（SMPS）以及太陽能的相關應用。
近年來，為了提高電源電路的效率，對低導通電阻產品的需求不斷增加。為滿足這種需求，東芝專門開發了該產品。 TK024N60Z1實現了0.024 &Omega;（最大值）的導通電阻，是DTMOS Ⅵ 600 V系列中導通電阻最低的產品[1]&nbsp;，並降低了導通損耗。提高了電源效率，減少了熱能的產生。 此外，本產品採用TO-247封裝，可用於多種散熱方式，提高散熱性能。
透過優化閘極設計和技術， DTMOS Ⅵ 600 V系列（包括新產品），與東芝傳統DTMOSIV-H系列產品相比，在相同VGS電壓，單位面積的導通電阻值降低了約13 %，導通電阻與閘-汲極電荷乘積（MOSFET性能的品質因數）降低了約52%。此外，東芝還提供模擬用模型，用於支援電源供應器（SMPS）的電路設計。除了可以在短時間內驗證電路功能的G0 SPICE模型外，現在還提供可以精準重現瞬態特性的高精度G2 SPICE模型。
東芝將持續擴大DTMOS Ⅵ系列產品線，並透過降低電源供應器（SMPS）的功率損耗來達成節能需求。
註： [1]&nbsp;截止2025年1月的東芝調查。
特性
<ol>
<li>DTMOS Ⅵ系列的最小導通電阻（0.024 &Omega;（最大）（V&nbsp;GS&nbsp;＝10 V））</li>
<li>低R&nbsp;DS(ON)&nbsp;&times; Q&nbsp;gd&nbsp;（導通電阻與閘-汲極電荷乘積）支援電源供應用（SMPS）的高效率</li>
</ol>
特性說明
1.DTMOS Ⅵ系列的最小導通電阻（0.024 &Omega;（最大） （V GS ＝10 V））
在DTMOS Ⅵ系列中，TK024N60Z1實現了最低的導通電阻（0.024 &Omega;（最大值）（V&nbsp;GS&nbsp;＝10 V））， 將導通損耗最小化，從而幫助提高電源效率。 
電路範例 <img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/vendornews/2025/23305/tinymce/______2.jpg" alt="" />功率因數校正（PFC）電路 <img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/vendornews/2025/23305/tinymce/______3.jpg" alt="" />Totem-pole PFC <img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/vendornews/2025/23305/tinymce/______4.jpg" alt="" />LLC DC/DC converter 
<ol start="2">
<li>低 RDS(ON)&times;Qgd(導通電阻與閘-汲極電荷乘積）以及電源供應器（SMPS）的高效率</li>
</ol>
透過優化閘極設計和技術， DTMOS Ⅵ 600 V系列（包括新產品），與東芝傳統DTMOSIV-H系列產品相比，在相同VGS電壓，單位面積的導通電阻值降低了約13 %，導通電阻與閘-汲極電荷乘積的乘積（MOSFET性能的品質因數）降低了約52%。 這意味著DTMOS Ⅵ系列在導通損耗與切換損耗之間實現了更佳的權衡，有助於提高電源供應器（SMPS）的效率。
&nbsp;
RDS(ON)&times;Qgd&nbsp;特性曲線[2] <img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/vendornews/2025/23305/tinymce/______5.jpg" alt="" />
註： [2]上述數值均由東芝測量。
&nbsp;
應用
<ul>
<li>電源供應器（資料中心伺服器等）</li>
<li>太陽能的相關應用</li>
<li>不間斷電源（UPS）</li>
</ul>
主要規格
(在T&nbsp;a&nbsp;＝25 &deg;C條件下，除非另有規定)
<table style="border-collapse: collapse;" border="1" width="614">
<tbody>
<tr>
<td colspan="4" width="463">
型號
</td>
<td width="151">
<a href="https://toshiba.semicon-storage.com/tw/semiconductor/product/mosfets/400v-900v-mosfets/detail.TK024N60Z1.html">TK024N60Z1</a>
</td>
</tr>
<tr>
<td rowspan="2">
封裝
</td>
<td colspan="3" width="396">
名稱
</td>
<td width="151">
<a href="https://toshiba.semicon-storage.com/tw/semiconductor/design-development/package/detail.TO-247.html">TO-247</a>
</td>
</tr>
<tr>
<td colspan="2" width="274">
尺寸&nbsp;(mm)
</td>
<td width="123">
典型值
</td>
<td width="151">
15.94&times;20.95&times;5.02
</td>
</tr>
<tr>
<td rowspan="3">
絕對
最大
額定值
</td>
<td colspan="3" width="396">
汲-源極電壓&nbsp;VDSS&nbsp;(V)
</td>
<td width="151">
600
</td>
</tr>
<tr>
<td colspan="3" width="396">
汲極電流&nbsp;(DC) ID&nbsp;(A)
</td>
<td width="151">
80
</td>
</tr>
<tr>
<td colspan="3" width="396">
結溫Tch&nbsp;(&deg;C)
</td>
<td width="151">
150
</td>
</tr>
<tr>
<td rowspan="4">
電力
特性
</td>
<td width="179">
導通電阻&nbsp;RDS(ON)&nbsp;(&Omega;)
</td>
<td width="95">
VGS=10V
</td>
<td width="123">
最大值
</td>
<td width="151">
0.024
</td>
</tr>
<tr>
<td colspan="2" width="274">
閘極電荷總量&nbsp;Qg&nbsp;(nC)
</td>
<td width="123">
典型值
</td>
<td width="151">
140
</td>
</tr>
<tr>
<td colspan="2" width="274">
閘-汲極電荷&nbsp;Qgd&nbsp;(nC)
</td>
<td width="123">
典型值
</td>
<td width="151">
37
</td>
</tr>
<tr>
<td colspan="2" width="274">
輸入電容&nbsp;Ciss&nbsp;(pF)
</td>
<td width="123">
典型值
</td>
<td width="151">
8420
</td>
</tr>
<tr>
<td colspan="4" width="463">
庫存查詢與購買
</td>
<td width="151">&nbsp;<a href="https://toshiba.semicon-storage.com/tw/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TK024N60Z1.html" target="_blank" rel="noopener"><img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/vendornews/2025/23305/tinymce/______4.png" alt="" /></a></td>
</tr>
</tbody>
</table>
 
相關連結
請造訪以下連結，了解新產品的更多詳情。 <a href="https://toshiba.semicon-storage.com/tw/semiconductor/product/mosfets/400v-900v-mosfets/detail.TK024N60Z1.html">TK024N60Z1</a>
請造訪以下連結，了解東芝MOSFET的更多詳情。 <a href="https://toshiba.semicon-storage.com/tw/semiconductor/product/mosfets.html">MOSFETs</a>
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<a href="https://toshiba.semicon-storage.com/tw/company/news/news-topics/2023/06/mosfet-20230613-1.html">Toshiba發布有助於提高電源效率的600V超接合結構N溝道功率MOSFET(2023年6月13日)</a>

600V Super Junction MOSFET N通道DTMOS Ⅵ系列「TK024N60Z1」- 提升電源效率

東芝線上電路模擬器是輔助選擇MOSFET的工具，可有效提升電源電路的效率。所有模擬均在線上完成，因此無需建立/設計模擬電路或取得任何元件模型。使用者介面設計直覺且易於使用，即使對於初學者也是如此。透過選擇拓撲並設定四個參數（輸入電壓、輸出電壓、輸出功率和開關頻率），將顯示基於設定值的建議 MOSFET 產品清單。選擇MOSFET並依需求調整電路參數後，即可執行模擬。
模擬結果以圖表形式顯示，並且可以在圖表內更改或添加模擬波形。此外，模擬結果可以以 CSV 檔案格式匯出。 <img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/vendornews/2025/23304/tinymce/online-circuit-simulator-introduction_features_1_en.png" alt="" />
線上電路模擬器可供註冊客戶使用。註冊後即可免費使用所有功能，因此請使用下面的連結註冊並試用。<a href="https://toshiba.semicon-storage.com/tw/semiconductor/login/login-form.html">https://toshiba.semicon-storage.com/tw/semiconductor/login/login-form.html</a>
線上電路模擬器網頁: <a href="https://toshiba.semicon-storage.com/tw/semiconductor/design-development/online-circuit-simulator-introduction.html">https://toshiba.semicon-storage.com/tw/semiconductor/design-development/online-circuit-simulator-introduction.html</a>

東芝線上電路模擬器

氮化鎵（GaN）半導體需求持續增長，英飛凌科技股份有限公司掌握此一趨勢，鞏固其作為GaN市場領先垂直整合製造商（IDM）的地位，宣佈其在 12 吋晶圓上的可擴展GaN 生產進度正按計畫進行。預計2025年第四季度將向客戶提供首批樣品，英飛凌有望擴大客戶基礎，進一步鞏固其作為GaN領先企業的地位。
&nbsp;
作為電源系統領域的領導者，英飛凌專精於三種材料的相關技術：矽（Si）、碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）。憑藉更高的功率密度、更快的開關速度和更低的功率損耗，氮化鎵半導體可實現更精簡的設計，從而減少智慧手機充電器、工業和人形機器人，以及太陽能逆變器等電子設備的能耗和熱量產生。 <img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/vendornews/2025/23301/tinymce/infineon_gan300_technology1.jpg" alt="" />
英飛凌氮化鎵業務線負責人Johannes Schoiswohl表示：「英飛凌全面擴大的12 吋 GaN生產規模將協助我們更快地為客戶提供更高價值的產品，同時推動Si和GaN同類產品的成本接近性。在英飛凌宣佈突破12 吋 GaN晶圓技術近一年後，我們很高興看到我們的時程進展順利，並且業界已經認可英飛凌GaN技術在我們作為IDM戰略優勢下所發揮的重要作用。」
&nbsp;
英飛凌的生產策略主要依據IDM 模式，即擁有從設計、製造和銷售最終產品的整個半導體生產流程。公司的內部生產策略是市場上的一個關鍵差異化因素，具有多重優勢，如能提供更高品質的產品、更快的產品上市時間以及出色的設計和開發靈活性。英飛凌致力於為氮化鎵客戶提供支援，並可擴大產能以滿足他們對可靠的GaN電源解決方案的需求。
&nbsp;
憑藉其技術領先優勢，英飛凌已成為首家在現有大批量生產基礎設施內成功開發出12 吋 GaN功率晶圓技術的半導體製造商。與現有的8 吋晶圓相比，12 吋晶圓上的晶片生產在技術上更加先進，效率也顯著提高，因為更大的晶圓直徑可使晶片生產效率提高 2.3 倍。這些增強的能力，加上英飛凌強大的GaN專業團隊，以及業界最廣泛的智慧財產權組合，恰好可以滿足基於GaN的功率半導體在工業、汽車、消費、運算和通訊等領域快速普及，包括AI系統電源、太陽能逆變器、充電器和適配器以及馬達控制系統等。
&nbsp;
市場分析師預測， GaN在功率應用領域的營收將以每年36%的速度增長，到2030年達到約25億美元[1]。英飛凌擁有專有的生產能力和強大的產品組合，去年發佈了40多款新型GaN產品，這使其成為尋求高品質GaN解決方案客戶的首選合作夥伴。
&nbsp;
[1] Yole Group；《功率碳化矽和氮化鎵化合物半導體市場監測，2025 年第二季度》
&nbsp;
關於英飛凌
英飛凌科技股份有限公司是全球電源系統及物聯網半導體的領導者，以其產品及解決方案驅動低碳化及數位化。英飛凌在全球擁有約 58,060名員工，2024 會計年度 (截至9月底)，公司營收約為 150億歐元。
更多資訊請參考：www.infineon.com。

作為領先的垂直整合製造商，英飛凌在 12 吋氮化鎵生產路線圖取得進展

<figure class="image"><img style="aspect-ratio:517/388;" src="https://ddwprd.blob.core.windows.net/content-platform/31762/zh-tw/ckeditor/1_20251207021724.png" width="517" height="388"></figure>AP61406Q 是一款全新 5.5V、4A、符合汽車標準*的同步降壓型轉換器。其 I2C 介面可實現低靜態電流（IQ）並可編程多項參數，使該器件能滿足汽車負載點（POL）應用對小型化設計和高效率日益增長的需求。&nbsp;此器件具備 I2C 相容的雙線串列介面，包括一條雙向串列數據線（SDA）和一條串列時鐘線（SCL），支援最高 3.4MHz 的速率。&nbsp;AP61406Q 的工作輸入電壓範圍為 2.3V 至 5.5V。內建 75mΩ 高側和 33mΩ 低側功率 MOSFET，可實現高效率的降壓型 DC-DC 轉換。其採用恆定導通時間（COT）控制，能減少外部元件數量，便於迴路穩定，並實現低輸出電壓漣波。&nbsp;為了達到高功率密度，AP61406Q 採用微型 W-QFN1520-8/SWP（Type UX）封裝。&nbsp;另有標準合規版本 AP61406，適用於工業及商業應用。&nbsp;產品優勢：AP61406Q 的 I2C 介面、低靜態電流（IQ）、以及恆定導通時間控制，讓多項參數可編程，並實現高效率且小型化的設計。I2C 介面，SCL 時鐘速率最高可達 3.4MHz，可編程 PFM/PWM、切換頻率（fSW：1MHz、1.5MHz、2MHz、2.5MHz）、輸出電流（IOUT：1A/2A/3A/4A）、輸出電壓（VOUT：以 20mV 步進），以及故障狀態回報，提升設計彈性與便利性。在微型 W-QFN1520-8/SWP（Type UX）封裝下，最大輸出電流可達 4A，為汽車負載點（POL）應用於高環境溫度下提供高功率密度。精確的 PG（電源良好）訊號，具 ±5% 視窗比較器及內建 5MΩ 上拉電阻，可準確偵測故障並降低物料成本（BOM）。多功能 EN（使能）控制，可切換 PFM/PWM 操作模式，提供低 IQ 高輕載效率或在固定 PWM 下全負載等漣波彈性。高側與低側電流偵測保護於輸出短路時啟動，提升汽車 POL 應用的穩健性。&nbsp;應用：汽車 5V 和 3.3V 負載點（POL）電源，適用於：▪ 車載資訊娛樂系統 ▪ 儀表板 ▪ 遠端資訊處理（Telematics） ▪ 先進駕駛輔助系統（ADAS）<figure class="image"><img style="aspect-ratio:1096/402;" src="https://ddwprd.blob.core.windows.net/content-platform/31762/zh-tw/ckeditor/3_20251207021908.png" width="1096" height="402"></figure><figure class="image"><img style="aspect-ratio:1075/448;" src="https://ddwprd.blob.core.windows.net/content-platform/31762/zh-tw/ckeditor/2_20251207021923.png" width="1075" height="448"></figure>

I2C 5.5V、4A 同步降壓轉換器提供了一種用途廣泛、高功率密度的汽車級POL解決方案

一. 引言 隨著電動汽車動力電池電量的增加，車載充電機（OBC）被迫從3.3 kW、6.6 kW快速邁向11 kW甚至22 kW。然而，整車佈局留給OBC的空間有限，傳統的兩級拓撲（PFC+LLC）因中間母線的大電解電容與獨立磁性元件，以及散熱面積隨器件數量線性增加，已成為提升功率密度的瓶頸。單級架構將電網整流、升壓與隔離DC-DC合併為同一功率級，可減少30%的無源元件體積與20%的開關器件，但在控制上需要在一個開關週期內同時完成功率因數校正、電池調壓與ZVS任務。本文主要介紹基於ST StellarE1 HRTIM模組實現單級OBC調頻加雙移相的複雜發波時序。 二. 變頻加雙移相發波時序介紹<figure class="image"><img height="590" src="https://ddwprd.blob.core.windows.net/content-platform/31615/zh-cn/ckeditor/1_20251105091717.png" style="aspect-ratio:1269/590;" width="1269"/></figure><figure class="image"><img/></figure>ST StellarE1 的 HRTIM2 的 TA1、TB1、TE1、TE2 表示 4 通道 PWM 用於不控整流橋 Q1-Q4。HRTIM1 的 TA1、TA2、TB2、TB1、TC1、TC2、TD1、TD2 表示 8 通道 PWM DAB 驅動 S1-S8。功率正向傳輸時，HRTIM2 的 4 通道 PWM 不發波。<figure class="image"><img height="593" src="https://ddwprd.blob.core.windows.net/content-platform/31615/zh-cn/ckeditor/2_20251105091723.png" style="aspect-ratio:554/593;" width="554"/></figure><figure class="image"><img/></figure>由於控制策略為變頻（VF）和雙相移（DPS），HRTIM1運行在遞增計數模式，控制器的週期在40Khz的定時器中斷中執行。在每個週期中，ADC採樣由主定時器觸發。當控制器結束時，PWM將更新至下一個週期。定時器A、B、C和D的上、下通道相互補充。 ADC觸發器用於Iac、iLr、ibat、Vbat、Vac、Vbus取樣，由TM.CMP4（主定時器比較4匹配事件）觸發，且觸發頻率與PWM開關相同。定時器A和B的計數器由主定時器翻轉事件重置，以使定時器A、B與主定時器同步。 由於TA1/TA2連接到S1/S2，TB1/TB2連接到S4/S3，定時器A和定時器B的配置相同，它們通過比較1個匹配事件（TA.CMP1=T/2且TB.CMP1=T/2）自動重置，並通過週期事件自動設置，因此S1和S3可以產生占空比為50%且相位差為180度的驅動信號。 定時器C（TC）計數器由主定時器比較1匹配事件（TM.CMP1）針對相位角θ_1進行重置。TM.CMP1匹配事件還設置TC1，TC.COMP1=T/2，重置TC1以生成占空比為50%的驅動信號。 定時器D（TD）計數器由主定時器比較3匹配事件（TM.CMP3）針對相位角θ_2進行重置。TM.CMP1匹配事件也會設置TD1，TD.COMP1=T/2，從而重置TD1以生成占空比為50%的驅動信號。 最後，可以實施EPS+VF：T = HRTIM_輸入時鐘 * 8 / 採樣頻率TM.CMP1 = (0.5 - θ_1) × TTM.CMP3 = (0.5 - θ_2) × THRTIM_INPUT_CLOCK：HRTIM輸入時鐘，範例配置為300000000T：與PWM開關頻率週期相對應的計數值fs：PWM開關頻率（本演示的頻率範圍為50-300KHz，對應50,000 - 300,000）θ_1：次級相移角1（θ_1≤0.5）θ_2：次級相移角2（θ_2≤0.5） 三. StellarE1實現變頻加雙移相發波 根據環路計算結果得到所需的開關頻率及移相角度，轉換為HRTIM的週期計數值及移相比較值； <pre><code class="language-plaintext">msprod = (uint16_t)(2400000000 / fs);phase1 = (uint16_t)(msprod * (0.5 - theta1));phase2 = (uint16_t)(msprod * (0.5 + theta2));mc1 = phase1;mc3 = phase2;</code></pre> 關閉HRTIM的更新功能，為各個TIM模組寫入週期值及比較值；寫入完成後開啟HRTIM的更新功能。 <pre><code class="language-plaintext">hrtim_timer_disable_update(&amp;DRV_HRTIM1, HRTIM_TIMER_MASTER_MASK_ID | HRTIM_TIMER_A_MASK_ID | HRTIM_TIMER_B_MASK_ID | HRTIM_TIMER_C_MASK_ID | HRTIM_TIMER_D_MASK_ID);(void)hrtim_timer_set_period(&amp;DRV_HRTIM1, HRTIM_TIMER_MASTER, m_prd);(void)hrtim_timer_set_period(&amp;DRV_HRTIM1, HRTIM_TIMER_A, m_prd);(void)hrtim_timer_set_period(&amp;DRV_HRTIM1, HRTIM_TIMER_B, m_prd);(void)hrtim_timer_set_period(&amp;DRV_HRTIM1, HRTIM_TIMER_C, m_prd);(void)hrtim_timer_set_period(&amp;DRV_HRTIM1, HRTIM_TIMER_D, m_prd);(void)hrtim_timer_set_cmp(&amp;DRV_HRTIM1, HRTIM_TIMER_MASTER, HRTIM_CMP1, mc1);(void)hrtim_timer_set_cmp(&amp;DRV_HRTIM1, HRTIM_TIMER_MASTER, HRTIM_CMP3, mc3);(void)hrtim_timer_set_cmp(&amp;DRV_HRTIM1, HRTIM_TIMER_A, HRTIM_CMP1, ta_cmp1);(void)hrtim_timer_set_cmp(&amp;DRV_HRTIM1, HRTIM_TIMER_B, HRTIM_CMP1, tb_cmp1);(void)hrtim_timer_set_cmp(&amp;DRV_HRTIM1, HRTIM_TIMER_C, HRTIM_CMP1, tc_cmp1);(void)hrtim_timer_set_cmp(&amp;DRV_HRTIM1, HRTIM_TIMER_D, HRTIM_CMP1, td_cmp1);(void)hrtim_timer_set_cmp(&amp;DRV_HRTIM1, HRTIM_TIMER_A, HRTIM_CMP4, ta_cmp1 / 10);hrtim_timer_enable_update(&amp;DRV_HRTIM1, HRTIM_TIMER_MASTER_MASK_ID | HRTIM_TIMER_A_MASK_ID | HRTIM_TIMER_B_MASK_ID | HRTIM_TIMER_C_MASK_ID | HRTIM_TIMER_D_MASK_ID);</code></pre> 四. 實驗現象 下圖顯示了TA1(S1)、TB1(S3)、TC1(S5)、TD1(S7)的PWM開關頻率從100k切換至120k，基於HRTIM的更新機制，確保了所有通道同步更新週期值；S5和S7通道的兩個移相角是通過主定時器的CMP1和CMP3事件來實現的。<figure class="image"><img height="173" src="https://ddwprd.blob.core.windows.net/content-platform/31615/zh-cn/ckeditor/3_20251105091730.png" style="aspect-ratio:585/173;" width="585"/></figure><figure class="image image_resized" style="width:76.02%;"><img/></figure>五. 結論 實驗波形證實，得益於StellarE1晶片上HRTIM的高精度及靈活的發波能力，才使得「變頻+雙移相」這一理論上複雜、時序上苛刻的混合調制策略在單級6.6 kW OBC中得以可靠落地，並為後續更大功率、更高密度平台奠定可靠而堅實的MCU控制基石。

基於ST StellarE1的單級OBC變頻加雙移相發波時序

Synaptics Astra SR110 是一款專為邊緣 AI 運算設計的高性能 AI MCU 處理器，它基於 Arm® Cortex®-M55 內核與 Arm Ethos™-U55 NPU，能高效處理多模態（multimodal）的物聯網（IoT）工作負載。本篇教學將參考官方的 <a href="https://synaptics-astra-mcu.github.io/doc/v/latest/quickstart/Astra_SRSDK_Quick_Start_Guide.html#" target="_blank" rel="noopener noreferrer">Quick Start Guide</a>，並結合實際操作截圖，為您詳解如何在 Visual Studio Code (VS Code) 環境中完成 Synaptics Astra SR110 SDK 的安裝、建置與燒錄流程。&nbsp;步驟一：安裝 Synaptics VS Code 擴充功能 (Extension)&nbsp;1.&nbsp;找到 VSIX 檔案&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;首先，請在您的 SDK 資料夾中找到 Synaptics VS Code 擴充功能的 VSIX 檔案。&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;* 例如：您會找到一個名稱類似於 Astra_MCU_SDK_vscode_extension-1.1.0.vsix 的檔案。<figure class="image"><img style="aspect-ratio:1032/399;" src="https://ddwprd.blob.core.windows.net/content-platform/31689/zh-tw/ckeditor/SRSDK-01_20251124032156.png" width="1032" height="399"></figure>&nbsp;2.&nbsp;從 VSIX 安裝&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;開啟 VS Code，進入左側的「EXTENSIONS」（擴充功能）分頁，點擊右上角的「...」更多選單，從下拉選單中選擇 Install from VSIX…。<figure class="image"><img style="aspect-ratio:985/435;" src="https://ddwprd.blob.core.windows.net/content-platform/31689/zh-tw/ckeditor/SRSDK-02_20251124032935.png" width="985" height="435"></figure>&nbsp;3.&nbsp;確認安裝&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;安裝完成後，您應該可以在「已安裝 (INSTALLED)」列表中看到 Synaptics Extension。該擴充功能提供了 C/C++ IntelliSense、偵錯工具、記憶體檢查、序列埠監控等功能。<figure class="image"><img style="aspect-ratio:2252/836;" src="https://ddwprd.blob.core.windows.net/content-platform/31689/zh-tw/ckeditor/SRSDK-03_20251124033030.png" width="2252" height="836"></figure> 步驟二：安裝 SRSDK 環境工具 (Install Tools)&nbsp;1.&nbsp;進入安裝頁面&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;在 VS Code 中，進入 SRSDK EXTENSION 介面，找到 INSTALL TOOLS 區塊，點擊 Install Tools。您會看到 SRSDK 工具安裝程式頁面，其中列出了 Build Essentials (例如 Docker Daemon、AC6 Compiler) 和 Debugging and Flashing Tools。<figure class="image"><img style="aspect-ratio:2260/833;" src="https://ddwprd.blob.core.windows.net/content-platform/31689/zh-tw/ckeditor/image_20251124055643.png" width="2260" height="833"></figure>&nbsp;2.&nbsp;執行安裝&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;滾動到頁面最下方，確認所需的工具（例如 MemoryView extension by mcu-debug、Hex Editor extension by Microsoft 等）已勾選，然後點擊 Install。工具將預設安裝到 SRSDK_build_tools 目錄。<figure class="image"><img style="aspect-ratio:2260/774;" src="https://ddwprd.blob.core.windows.net/content-platform/31689/zh-tw/ckeditor/image_20251124060023.png" width="2260" height="774"></figure>&nbsp;3.&nbsp;處理額外設定&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;在安裝過程中，可能會彈出一些對話視窗，例如 Docker Desktop 的設定視窗。請依照指示完成必要的配置（例如登入或建立帳戶）。<figure class="image"><img style="aspect-ratio:1452/709;" src="https://ddwprd.blob.core.windows.net/content-platform/31689/zh-tw/ckeditor/image_20251124060231.png" width="1452" height="709"></figure>&nbsp;4.&nbsp;確認工具安裝完成&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;安裝進行時，您可以在終端機看到進度。當所有工具都安裝完成後，每個工具項目旁會出現綠色的勾選符號，並且終端機會提示「Tools installation completed」。<figure class="image"><img style="aspect-ratio:2253/1221;" src="https://ddwprd.blob.core.windows.net/content-platform/31689/zh-tw/ckeditor/image_20251124060327.png" width="2253" height="1221"></figure> 步驟三：匯入 SDK (Import SDK)&nbsp;1.&nbsp;選擇本地 SDK 檔案夾&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;在左側欄位中找到 IMPORT SDK 區塊，點擊 + Import SDK。選擇 LOCAL 標籤，點擊 BROWSE 選擇您的 SDK 檔案夾位置，然後點擊 IMPORT SDK。<figure class="image"><img style="aspect-ratio:2255/683;" src="https://ddwprd.blob.core.windows.net/content-platform/31689/zh-tw/ckeditor/image_20251124060900.png" width="2255" height="683"></figure>&nbsp;2.&nbsp; 確認匯入&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;匯入成功後，在檔案總管 (EXPLORER) 中，您將會看到 SDK 的目錄結構，例如 ASTRA_MCU_SDK1.1.0，包含 AI、board、examples 等子目錄。<figure class="image"><img style="aspect-ratio:662/758;" src="https://ddwprd.blob.core.windows.net/content-platform/31689/zh-tw/ckeditor/image_20251124060948.png" width="662" height="758"></figure>步驟四：編譯 SDK (Build) &nbsp;1.&nbsp;選擇編譯功能&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;在 IMPORTED REPOS 下的 ASTRA_MCU_SDK1.1.0 項目中，選擇 Build or Clean SDK。<figure class="image"><img style="aspect-ratio:672/575;" src="https://ddwprd.blob.core.windows.net/content-platform/31689/zh-tw/ckeditor/image_20251124073224.png" width="672" height="575"></figure>&nbsp;2.&nbsp;配置編譯參數&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;在開啟的 Build Configuration 頁面中，設定您的專案參數：&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;Project Type : sr110_cm55_fw&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;Build Type : Debug&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;Board : sr110_rdk (RDK)&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;Board Revision : Rev B&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;Compiler : GCC&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;Application : demo_sample_app&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;確認無誤後，點擊下方的 Build 按鈕。<figure class="image"><img style="aspect-ratio:1891/968;" src="https://ddwprd.blob.core.windows.net/content-platform/31689/zh-tw/ckeditor/image_20251124075531.png" width="1891" height="968"></figure>&nbsp;3.&nbsp;處理 Docker 錯誤&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;首次執行編譯時，您可能會在終端機中遇到 Docker 相關錯誤，例如：「Error response from daemon: No such container: srsdk-dev-container」。&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;解決方法：重新在左側點選 Refresh，然後再次點選 Build or Clean SDK，系統會自動開始重新編譯。<figure class="image"><img style="aspect-ratio:1906/1271;" src="https://ddwprd.blob.core.windows.net/content-platform/31689/zh-tw/ckeditor/image_20251124075800.png" width="1906" height="1271"></figure>&nbsp;4.&nbsp; 確認編譯完成&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;成功編譯後，終端機會顯示各記憶體區域的使用情況，例如 ITCM、DTCM、SRAM 等，並提示「Build completed Successfully」。<figure class="image"><img style="aspect-ratio:1891/1212;" src="https://ddwprd.blob.core.windows.net/content-platform/31689/zh-tw/ckeditor/image_20251124080210.png" width="1891" height="1212"></figure>&nbsp;步驟五：生成燒錄映象檔 (Image Generation)&nbsp;1.&nbsp;進入 Image Generator，上傳 ELF 檔案&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;在左側欄位找到 AXF/ELF to BIN，點選 Image Generator。點擊 Browse，選擇您在步驟四中編譯生成的 ELF 檔案。&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;* 檔案路徑類似於：...\ASTRA_MCU_SDK1.1.0\out\sr110_cm55_fw\debug\sr110_cm55_fw.elf。<figure class="image"><img style="aspect-ratio:2257/1218;" src="https://ddwprd.blob.core.windows.net/content-platform/31689/zh-tw/ckeditor/image_20251125003621.png" width="2257" height="1218"></figure>&nbsp;&nbsp;2.&nbsp;配置選項與生成&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;在 Options 區塊中，勾選 Flash Image。&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;將 Flash Type 設定為 GD25LE128。&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;勾選 Secured Image。&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;點擊 Run Image Generator。&nbsp; &nbsp; 映象檔生成成功後，終端機將顯示輸出路徑，例如：「Copied Flash image to: C:\Users\User\Bin_Location\Output\B0_Flash\B0_flash_full_image_GD25LE128_67Mhz_secured.bin」。<figure class="image"><img style="aspect-ratio:1759/1219;" src="https://ddwprd.blob.core.windows.net/content-platform/31689/zh-tw/ckeditor/image_20251125004204.png" width="1759" height="1219"></figure>&nbsp;步驟六：燒錄映象檔 (Image Flashing)&nbsp;1.&nbsp;應用程式晶片燒錄 (Application Chip)&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;在左側欄位 IMAGE LOADING 下點選 Image Flashing。&nbsp;&nbsp;&nbsp; 設定 Service Type 為 FW Update (Application Chip)。&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;設定 COM Port (例如 COM6)、Baudrate (例如 230400)。&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;設定 Select Command 為 Burn File to Flash。&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;設定 Sector Offset 為 0x00。&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;選擇您在步驟五中生成的 Binary File。&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;點擊 Execute 開始燒錄，終端機將顯示燒錄進度。<figure class="image"><img style="aspect-ratio:1902/1216;" src="https://ddwprd.blob.core.windows.net/content-platform/31689/zh-tw/ckeditor/image_20251125004553.png" width="1902" height="1216"></figure>&nbsp;2.&nbsp;除錯韌體燒錄（非必要!!）&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;除了應用程式晶片的燒錄外，您也可以選擇用於除錯的燒錄方式。&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;設定 Service Type 為 SWD/JTAG，並選擇 Select Adapter Driver: CMSIS-DAP。&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;*請注意：此功能通常需要連接板子上角落的 Type-C 連接埠才可使用。<figure class="image"><img style="aspect-ratio:1896/1211;" src="https://ddwprd.blob.core.windows.net/content-platform/31689/zh-tw/ckeditor/image_20251125004635.png" width="1896" height="1211"></figure> 恭喜您！透過這份詳盡的步驟，您已經成功完成了 Synaptics Astra SR110 SDK 的安裝、開發環境設定、程式編譯，以及目標映象檔的燒錄流程。現在您可以開始探索並開發基於 Astra SR110 的 AIoT 應用了！ ~enjoy~

東芝線上電路模擬器

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