Toshiba推出採用新型封裝的車用40V N通路功率MOSFET，有助於汽車設備實現高散熱和小型化

日本川崎-東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“Toshiba”）推出了兩款車用40V N通路功率MOSFET，分別為「XPJR6604PB」和「XPJ1R004PB」，它們使用了Toshiba的新型S-TOGL™ (小型電晶體輪廓鷗翼式引腳)封裝與U-MOS IX-H工藝晶片。兩款產品與今日開始批量出貨。

自動駕駛系統等安全關鍵應用程式透過冗餘設計確保可靠性，因此與標準系統相比，它們整合了更多的裝置，需要更多的表貼空間。因此，需要進一步縮小汽車設備的尺寸，需要能够在高電流密度下表貼的功率MOSFET。

XPJR6604PB和XPJ1R004PB採用Toshiba的新型S-TOGL™封裝(7.0mm×8.44mm^[1])，其特點是採用無接線柱結構，將源極連接件和外部引腳一體化。源級引腳的多針結構降低了封裝電阻。

與具有相同熱阻特性的Toshiba TO-220SM (W)封裝產品^[2]相比，S-TOGL™封裝與Toshiba U-MOS IX-H工藝相結合，可實現導通電阻顯著降低11%。與TO-220SM(W) 封裝相比，新型封裝還將所需的表貼面積減少了大約55%。此外，採用新型封裝的產品可提供200A漏極額定電流，高於Toshiba類似尺寸的DPAK＋封裝(6.5mm×9.5mm^[1])產品，從而實現了大電流。總體而言，S-TOGL™封裝可實現高密度和緊湊佈局，縮小汽車設備的尺寸，並有助於實現高散熱。

由於汽車設備可能在極端溫度環境下工作，因此表面貼裝焊點的可靠性是一個關鍵考慮因素。S-TOGL™封裝採用鷗翼式引腳，可降低表貼應力，提高焊點的可靠性

當需要並聯多個器件為應用提供更大工作電流時，Toshiba支援這兩款新產品按柵極閾值電壓分組出貨^[3]。這樣可以確保設計使用同一組別的產品，從而減小特性偏差。

Toshiba將繼續擴展其功率半導體產品線，並通過使用者友好型、高效能功率器件為實現碳中和做出貢獻。