採用新型車規級EPC GaN FET設計更高解析度光達系統 以實現更先進的自主式系統

EPC推出80 V、通過AEC-Q101 認證的氮化鎵場效應電晶體（GaN FET）EPC2252，為設計人員提供比矽MOSFET更小和更高效的解決方案，用於車規級光達、48 V/12 V DC/DC轉換和低電感馬達控制器。

作為增强型氮化鎵 (eGaN^®)FET和IC的全球領導者，宜普電源轉換公司（EPC）進一步擴大已有現貨供應的車規級氮化鎵電晶體系列，推出80 V、11 mΩ、在 1.5 mm x 1.5 mm封裝內提供75 A脉衝電流的EPC2252，比矽MOSFET更小和更高效，適用於自動駕駛和其他先進駕駛輔助系統應用中的車規級光達、48 V/12 V DC/DC轉換和低電感馬達控制器。

在高頻工作時，氮化鎵電晶體具有更低的開關損耗、更低的傳導損耗、零反向恢復損耗和更低的驅動功率，可實現高效率。結合極小的佔板面積，這些優勢可實現最高功率密度。

氮化鎵電晶體具備快速開關、亞奈秒級轉換和在短於3 ns時間內可生成大電流脉衝的優勢，使光達在自動駕駛、停泊車輛和防撞方面看得更遠和解析度更高。

EPC聯合創始人兼首席執行長Alex Lidow說：「EPC2252是車規級光達、低電感馬達控制器和48 V DC/DC轉換的理想開關。我們致力於為汽車市場擴大氮化鎵產品系列，以實現高效、低成本的汽車電氣化和自動駕駛。」