Sequential Read 讓最新 QspiNAND Flash 產品的讀取速度達到每秒52MB，且使用者能自由應用自己偏好的 ECC編碼及數據配置
全球半導體儲存解決方案領導廠商華邦電子日前宣布在 QspiNAND Flash 系列產品中推出更具彈性的全新高速讀取功能 – Sequential Read，持續堅守其在閃存領域中不斷追求創新的理念。 越來越多汽車及 IoT 裝置製造商採用 SLC NAND Flash 做為其取代傳統 NOR Flash 在512Mb或更高容量的低成本替代解決方案。 華邦先前已在 High Performance Quad SPI-NAND Flash 界面上有突破性創新，其Continuous Read 在104MHhz 頻率頻率下，傳輸速度可達每秒 52MB，且與 Quad SPI-NOR 一樣有低腳位數的優點。 今日，華邦於 High Performance NAND Flash 上再創佳績，在其最新高效能W25NxxxJW QspiNAND Flash 上推出 Sequential Read 新功能。不僅維持QspiNAND Flash 在104MHz下每秒52MB的數據傳輸速度，且增加了許多在使用上的彈性。 其中，最重要的新增項目包括：
華邦電子美國分公司閃存事業群營銷部門總監 Syed S. Hussain 表示：「華邦提供高速作業及 Continuous Read 功能，讓 QspiNAND Flash 成為編碼儲存 (code storage) 應用的絕佳選項。」「現在加入 Sequential Read 後，使用者不但仍享有同樣的每秒52MB高速讀取，同時也能實作自己選擇的ECC引擎及數據存取配置。」
華邦1.8V QspiNAND Flash中的512Mb、1Gb及2Gb；3V QspiNAND Flash的2Gb及4Gb，都有導入最新的Sequential Read功能。再者，所有QspiNAND Flash均於公司位在台灣台中市的12吋晶圓廠製造。為了滿足汽車及 IoT 市場需求，華邦也持續擴展產能。 新款 W25N QspiNAND Flash 採用體積精巧的8針腳封裝；在華邦開發出高效的 QspiNAND Flash 接口之前，SLC NAND Flash 無法提供這種節省空間的型態。104MHz的頻率速度，可在使用快速讀取 Quad I/O 指令時，達到相當於 416MHz (104MHz x 4) 速度的 Quad I/O 效能。
華邦 W25N系列 NAND Flash 的主要特色如下：
涵蓋不同使用場境的工作溫度
– -40°C至+85°C作業範圍 (工規級)
– -40°C至+105°C作業範圍 (工規進階級與車規級)
獨特的內存架構
– 啟用 ECC 時的頁面讀取時間：60μs
– 頁面編程時間：250μs (標準值)
– 區塊抹除時間：2ms (標準值)
– 快速編程/抹除的效能
– 支持OTP內存區域
高效能高可靠性的QspiNAND Flash
– QSPI 實作採用 46nm 製程技術
– 數據保持 10 年以上
– 支持最高每秒 52MB 的數據傳輸率
節省空間的封裝
– WSON8 6x8mm
– WSON8 5x6mm
– TFBGA24 6x8mm
– KGD (良裸晶粒)
如需更多詳細信息，請造訪www.winbond.com
全球半導體儲存解決方案領導廠商華邦電子日前宣布在 QspiNAND Flash 系列產品中推出更具彈性的全新高速讀取功能 – Sequential Read，持續堅守其在閃存領域中不斷追求創新的理念。 越來越多汽車及 IoT 裝置製造商採用 SLC NAND Flash 做為其取代傳統 NOR Flash 在512Mb或更高容量的低成本替代解決方案。 華邦先前已在 High Performance Quad SPI-NAND Flash 界面上有突破性創新，其Continuous Read 在104MHhz 頻率頻率下，傳輸速度可達每秒 52MB，且與 Quad SPI-NOR 一樣有低腳位數的優點。 今日，華邦於 High Performance NAND Flash 上再創佳績，在其最新高效能W25NxxxJW QspiNAND Flash 上推出 Sequential Read 新功能。不僅維持QspiNAND Flash 在104MHz下每秒52MB的數據傳輸速度，且增加了許多在使用上的彈性。 其中，最重要的新增項目包括：
- 可自由應用用戶自有的ECC引擎。在 Continuous Read 中，華邦 W25N 系列僅支持本身晶片內建的1位 ECC 引擎。在 Sequential Read 中，用戶可選擇使用4位、8位或任何位的ECC錯誤修正。
- 以單一讀取指令存取整個內存數組，包括主區 (Main Area) 及備用區 (Spare Area)。這適合編碼映像 (Code shadowing) 應用使用，因為低延遲及快速啟動時間對這類應用特別重要。
- 有更大的彈性可設定數據、糾錯碼、文件系統信息配置，以配合用戶的應用場景。
華邦電子美國分公司閃存事業群營銷部門總監 Syed S. Hussain 表示：「華邦提供高速作業及 Continuous Read 功能，讓 QspiNAND Flash 成為編碼儲存 (code storage) 應用的絕佳選項。」「現在加入 Sequential Read 後，使用者不但仍享有同樣的每秒52MB高速讀取，同時也能實作自己選擇的ECC引擎及數據存取配置。」
華邦1.8V QspiNAND Flash中的512Mb、1Gb及2Gb；3V QspiNAND Flash的2Gb及4Gb，都有導入最新的Sequential Read功能。再者，所有QspiNAND Flash均於公司位在台灣台中市的12吋晶圓廠製造。為了滿足汽車及 IoT 市場需求，華邦也持續擴展產能。 新款 W25N QspiNAND Flash 採用體積精巧的8針腳封裝；在華邦開發出高效的 QspiNAND Flash 接口之前，SLC NAND Flash 無法提供這種節省空間的型態。104MHz的頻率速度，可在使用快速讀取 Quad I/O 指令時，達到相當於 416MHz (104MHz x 4) 速度的 Quad I/O 效能。
華邦 W25N系列 NAND Flash 的主要特色如下：
涵蓋不同使用場境的工作溫度
– -40°C至+85°C作業範圍 (工規級)
– -40°C至+105°C作業範圍 (工規進階級與車規級)
獨特的內存架構
– 啟用 ECC 時的頁面讀取時間：60μs
– 頁面編程時間：250μs (標準值)
– 區塊抹除時間：2ms (標準值)
– 快速編程/抹除的效能
– 支持OTP內存區域
高效能高可靠性的QspiNAND Flash
– QSPI 實作採用 46nm 製程技術
– 數據保持 10 年以上
– 支持最高每秒 52MB 的數據傳輸率
節省空間的封裝
– WSON8 6x8mm
– WSON8 5x6mm
– TFBGA24 6x8mm
– KGD (良裸晶粒)
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