KEC SuperJunction MOSFET(超接面金氧半場效電晶體),不僅可實現系統的低消耗電力設計，還可實現Low EMI，可便於用戶設計。 具備可適用於各種電器的豐富產品線和全系列包裝. KEC Gen.2 vs Gen.3(new)特性比較: KEC:600V/650V第三代超接面金氧半

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出採用最新一代工藝製造[1]的"TK055U60Z1"，進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產品線。該器件採用超級結結構，耐壓600V，適用於數據中心、開關電源和光伏發電機功率調節器。該新產品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產品，於今日