東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出採用最新一代工藝製造[1]的"TK055U60Z1"，進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產品線。該器件採用超級結結構，耐壓600V，適用於數據中心、開關電源和光伏發電機功率調節器。該新產品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產品，於今日開始批量出貨。
註:圖片作者:東芝半導體/來源網址:https://toshiba.semicon-storage.com/tw/company/news/news-topics/2023/06/mosfet-20230613-1.html
通過對柵極設計和工藝進行優化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產品相比，600V DTMOSVI系列產品的單位面積漏源導通電阻降低了約13%，漏源導通電阻×柵漏電荷（MOSFET性能的品質因數）降低了約52%。這有助於確保該系列產品實現導通損耗和開關損耗的雙重降低，並最終實現了開關電源效率的提高。
該新產品採用TOLL封裝，柵極驅動採用開爾文連接。可以通過降低封裝中源極線電感的影響，增強MOSFET的高速開關性能，從而抑制開關過程中的振盪。
未來，東芝將繼續擴展600V DTMOSVI系列產品線，以及已發布的650V DTMOSVI系列產品，並通過降低開關電源的功率損耗來達到節約節能的目的。
注：
[1]截至2023年6月
圖1：漏源導通電阻與柵漏電荷比較
註:圖片作者:東芝半導體/來源網址:https://toshiba.semicon-storage.com/tw/company/news/news-topics/2023/06/mosfet-20230613-1.html
註:圖片作者:東芝半導體/來源網址:https://toshiba.semicon-storage.com/tw/company/news/news-topics/2023/06/mosfet-20230613-1.html
註:圖片作者:東芝半導體/來源網址:https://toshiba.semicon-storage.com/tw/company/news/news-topics/2023/06/mosfet-20230613-1.html
通過對柵極設計和工藝進行優化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產品相比，600V DTMOSVI系列產品的單位面積漏源導通電阻降低了約13%，漏源導通電阻×柵漏電荷（MOSFET性能的品質因數）降低了約52%。這有助於確保該系列產品實現導通損耗和開關損耗的雙重降低，並最終實現了開關電源效率的提高。
該新產品採用TOLL封裝，柵極驅動採用開爾文連接。可以通過降低封裝中源極線電感的影響，增強MOSFET的高速開關性能，從而抑制開關過程中的振盪。
未來，東芝將繼續擴展600V DTMOSVI系列產品線，以及已發布的650V DTMOSVI系列產品，並通過降低開關電源的功率損耗來達到節約節能的目的。
注：
[1]截至2023年6月
圖1：漏源導通電阻與柵漏電荷比較
註:圖片作者:東芝半導體/來源網址:https://toshiba.semicon-storage.com/tw/company/news/news-topics/2023/06/mosfet-20230613-1.html
應用
- 數據中心（服務器開關電源等）
- 光伏發電機功率調節器
- 不間斷電源系統
特性
- 低漏源導通電阻×柵漏電荷，有助於提高開關電源的效率
主要規格
評論