IGBT是由BJT（双极型三极管）和MOSFET组成的全控电压驱动的功率半导体，具有MOSFET开关速度快、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单和开关损耗小等特点，也具有BJT导通电压低、通态电流大等优点，非常适合高压、大电流和高速等应用场景。 IGBT的理论研究在20世纪60年代就已出现，直到80