作者：英飛凌官微 英飛凌最新的OptiMOS™ 6功率MOSFET系列採用尖端的溝槽工藝，顯著改善了開關/傳導損耗和電流能力。這些改進轉化為更低的系統損耗，從而提高了功率密度、板溫度和整個系統的可靠性，實現了高水平的系統效率。適用於包括開關模式電源（SMPS）、可再生能源、OR-ing電路、電機驅動

肖特基二極體： 以金屬為陽極，以N型半導體為陰極，利用二者接觸面上形成的肖特基勢壘（Schottky barrier）的整流特性而製成的金屬-半導體二極體器件。 優點：單極型器件，只有一種載流子，從正嚮導通到反向截止，沒有反向恢復行為，具有反向恢復時間（trr）短、正向電壓（VF）低，適用於高頻開關

16 A 800 V高溫SCR晶閘管，穩健可靠的TN1605H-8x高溫16 A 800 V SCR晶閘管 產品說明 意法半導體公司的TN1605H-8x是一款16 A 800 V SCR，採用緊湊型D2PAK SMD封裝以及高散熱效率通孔式TO-220AB和TO-220I封裝。 TN1605H-8

STPSTxH100/Y - 溝槽型功率肖特基二極體，滿足高開關頻率下的效率要求 產品說明 這些100V溝槽二極體專為工業和汽車應用而設計。無論採用SOD123Flat封裝還是DPAK封裝，都能提供靈活的解決方案，從而支持功率密度更高的設計，提升應用整體性能。 該產品系列的器件符合 AEC-Q101

STPOWER MOSFET MDmesh M9系列，採用TO247- 4封裝，N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A 產品說明 該N溝道功率MOSFET基於創新超結MDmesh M9技術，具有非常低的單位面積導通電阻RDS(on)，適合中/高電壓MOSFET。基

Vishay 推出17款新型第三代 650V 碳化矽（SiC）肖特基二極體。Vishay Semiconductors 器件採用混合 PIN Schottky（MPS）結構設計，具有高浪湧電流保護能力，正向壓降、電容電荷和反向漏電流低，有助於提升開關電源設計能效和可靠性。   日前發佈的新一代 Si

DC/DC在做電壓轉換，降壓控制時，由於ON/OFF時間比有變化，其次數在單位時間內也是固定的。 因此，自身損耗的功率，也是恒定的，在輕載時，這種轉換漏電流造成的損失會導致效率降低。 所以，在使用電流少的情況下，透過頻率調控，將週期拉長、變慢，從而減少單位時間內的ON/OFF轉換次數，以減少損失，這

TSB622IDT簡介 TSB622IDT是一款通用雙運算放大器，提供了擴展的電源電壓工作範圍和軌到軌輸出。該器件具有出色的速度/功耗比和1.7 MHz增益帶寬乘積，並且每個放大器在36 V的電壓下消耗的電流低於375 μA。TSB622的工作溫度範圍寬泛（從-40°C到125°C）且具有相關資質，

TSB514IPT簡介 TSB511、TSB512、TSB514 是系列 16 MHz 頻寬放大器，具有軌到軌輸入和輸出，保證在 2.7 至 36 V 單電源以及 ± 1.35 V 至 ± 18 V 雙電源下運行使這些放大器具有提供大範圍電源電壓和寬頻寬的優勢。另外寬頻寬、壓擺率、低雜訊、軌到軌能力

TSB612IYDT簡介 TSB612IYDT運算放大器（op amps）提供了擴展的電源電壓工作範圍和軌到軌輸出，這些器件還實現了出色的速度/功耗比和560 kHz增益帶寬乘積，並且每個放大器在36 V的電壓下消耗的電流低於125 μA。TSB612IYDT的工作溫度範圍寬泛（從-40°C到125