Vishay 推出17款新型第三代 650V 碳化矽（SiC）肖特基二極體。Vishay Semiconductors 器件採用混合 PIN Schottky（MPS）結構設計，具有高浪湧電流保護能力，正向壓降、電容電荷和反向漏電流低，有助於提升開關電源設計能效和可靠性。
日前發佈的新一代 SiC 二極體包括 4A 至 40A 器件，採用 TO-22OAC 2L 和 TO-247AD 3L 外掛程式封裝和 D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面貼裝封裝。由於採用 MPS 結構，器件正向壓降比上一代解決方案低 0.3V，正向壓降與電容電荷乘積，即電源能效重要優值係數（FOM），相比上一代解決方案降低 17%。
與接近的競品解決方案相比，二極體室溫下典型反向漏電流低 30%，高溫下低 70%。因此降低了導通損耗，確保系統輕載和空載期間的高能效。與超快恢復二極體不同，第三代器件幾乎沒有恢復拖尾，從而能夠進一步提升效率。
與擊穿電壓相當的矽二極體相比，SiC 二極體熱導率高，反向電流低，反向恢復時間短。二極體反向恢復時間幾乎不受溫度變化的影響，可在 +175˚C 高溫下工作，不會因開關損耗造成能效變化。
器件典型應用包括發電和勘探應用領域 FBPS 和 LLC 轉換器中的 AC/DC 功率因數校正（PFC）和 DC/DC 超高頻輸出整流。器件具有高可靠性，符合 RoHS 標準，無鹵素，通過 2,000 小時高溫反偏（HTRB）測試和 2,000 次熱迴圈溫度迴圈測試，測試時間和迴圈次數是 AEC-Q101 規定的兩倍。
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