Pcore™2 E2B封裝 1200V 240A 大功率碳化矽MOSFET模塊 BMF240R12E2G3是基本半導體為更好滿足工業客戶對高效和高功率密度需求而開發的一款1200V 240A大功率碳化矽MOSFET半橋模塊，該模塊採用了Press-Fit壓接工藝、帶NTC溫度檢測以及高封裝可靠性的氮

IGBT分立器件一般由IGBT和續流二極體（FWD）構成，續流二極體按材料可分為矽材料和碳化矽材料，按照器件結構可分為PIN二極體和肖特基勢壘二極體（SBD）。 材料與結構兩兩組合就形成了4種結果：矽PIN二極體、碳化矽 PIN二極體、矽肖特基二極體、碳化矽肖特基二極體。 在本篇文章中我們將重點闡述