作者：英飛凌工業半導體 新品 TRENCHSTOP™ IGBT7 450A  1200V 62mm封裝共發射極模塊 62mm 450A 1200V共發射極IGBT模塊，採用TRENCHSTOP™ IGBT7和發射極控制EmCon二極體。   62mm是帶銅基板的模塊，螺母端子安裝，支持並聯，實現三電

作者：英飛凌工業半導體 【2023年11月29日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC™ 1200V和2000V MOSFET模塊系列新添全新工業標準封裝產品。其採用新推出的增強型M1H碳化矽（SiC）MOSFET晶片，採用成熟的

採用IGBT7中功率E7晶片62mm模塊於2023年７月份正式上市，半橋和共發射極模塊的最大標稱電流達800A，實現了62mm模塊的最高功率密度。同期推出的共發射極模塊目標應用是構建T字型三電平和固態斷路器。單模塊可實現高達100千瓦的驅動系統，三電平及並聯運行時可達兆瓦級。   該系列模塊最高連續