主要優勢 : • E 系列超結標準 MOSFET   – 優質的 PFC 方案   – 超低 FOM • 具有整合快恢復二極體的 EF 系列超級接面 MOSFET   – 與標準 E 系列 MOSFET 相比，快恢復二極體的 Qrr 降低了 10 倍，可實現壽命控制   – 與競品相比，充電和放電時

STPOWER MOSFET MDmesh M9系列，採用TO-247長引線封裝，N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A  產品說明 該N溝道功率MOSFET基於創新超結MDmesh M9技術，具有非常低的單位面積導通電阻RDS(on)，適合中/高電壓MOSFET

STPOWER MOSFET MDmesh M9系列，採用TO247- 4封裝，N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A 產品說明 該N溝道功率MOSFET基於創新超結MDmesh M9技術，具有非常低的單位面積導通電阻RDS(on)，適合中/高電壓MOSFET。基

650 V e模式功率GaN電晶體， 75 mOhm典型值，15 A，常關P柵極HEMT 產品說明 SGT120R65AL是一種650 V、15 A e模式PowerGaN電晶體，結合了成熟的封裝技術。由此產生的G-HEMT器件擁有極低的傳導損耗、高電流能力和超快的開關操作，以實現高功率密度和出眾的