用於 5G 電力基礎設施的 MOSFET高達 6 kW 的電信電源方案



主要優勢 :

• E 系列超結標準 MOSFET
  – 優質的 PFC 方案
  – 超低 FOM

• 具有整合快恢復二極體的 EF 系列超級接面 MOSFET
  – 與標準 E 系列 MOSFET 相比,快恢復二極體的 Qrr 降低了 10 倍,可實現壽命控制
  – 與競品相比,充電和放電時間縮短了 2 倍
  – 為軟開關拓撲結構(如 LLC 諧振)而設計和開發

• 第五代中低壓 MOSFET
  – 80 V 至 150 V 的裝置選項
  – –RDS(開)、Qg 和 Coss 的最佳化組合

5G 應用



資源 :

• 有關技術問題, 請聯繫 : pmossupport@vishay.com
• 本文件如有更改,恕不另行通知。本文件中說明的產品和本文件都有具體的免責聲明,相關聲明敬請訪問 https://www.vishay.com/docs/91000


• 本文原始網址https://www.vishay.com/docs/48903/48903-CN.pdf

可採用最新的表面貼裝封裝方案

• PowerPAK® 10 x 12
  – 超薄;尺寸:9.9 mm x 11.7 mm x 2.3 mm
  – TO 無引線封裝
  – 整合式開源連接
• PowerPAK® 8 x 8
  – 超薄;尺寸:8 mm x 8 mm x 1 mm
  – 整合式開源連接





同步整流第五代中壓 MOSFET



OR-ing 第五代低壓 MOSFET




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參考來源

Vishay威世科技: https://www.vishay.com/docs/48903/48903-CN.pdf

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