主要優勢 :
• E 系列超結標準 MOSFET
– 優質的 PFC 方案
– 超低 FOM
• 具有整合快恢復二極體的 EF 系列超級接面 MOSFET
– 與標準 E 系列 MOSFET 相比,快恢復二極體的 Qrr 降低了 10 倍,可實現壽命控制
– 與競品相比,充電和放電時間縮短了 2 倍
– 為軟開關拓撲結構(如 LLC 諧振)而設計和開發
• 第五代中低壓 MOSFET
– 80 V 至 150 V 的裝置選項
– –RDS(開)、Qg 和 Coss 的最佳化組合
5G 應用
資源 :
• 有關技術問題, 請聯繫 : pmossupport@vishay.com
• 本文件如有更改,恕不另行通知。本文件中說明的產品和本文件都有具體的免責聲明,相關聲明敬請訪問 https://www.vishay.com/docs/91000
• 本文原始網址https://www.vishay.com/docs/48903/48903-CN.pdf
可採用最新的表面貼裝封裝方案
• PowerPAK® 10 x 12
– 超薄;尺寸:9.9 mm x 11.7 mm x 2.3 mm
– TO 無引線封裝
– 整合式開源連接
• PowerPAK® 8 x 8
– 超薄;尺寸:8 mm x 8 mm x 1 mm
– 整合式開源連接
同步整流第五代中壓 MOSFET
OR-ing 第五代低壓 MOSFET
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