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IGBT模塊廠家在產品定型前都會做一系列的可靠性試驗，以確保產品的長期耐久性能。一般常見的測試的項目如下圖所示。            這個報告裡的測試項目，除了ESD靜電測試以外，都是和IGBT模塊的壽命相關的。壽命相關測試可以分成兩部分，一部分是對於晶片本身壽命的考核，另一部分是對機械連接的考核

作者：英飛凌工業半導體 新品 TRENCHSTOP™ IGBT7 450A  1200V 62mm封裝共發射極模塊 62mm 450A 1200V共發射極IGBT模塊，採用TRENCHSTOP™ IGBT7和發射極控制EmCon二極體。   62mm是帶銅基板的模塊，螺母端子安裝，支持並聯，實現三電

車規級ACEPACK SMIT半橋拓撲，650 V, 80 A HB series IGBT with diode 產品說明 該器件將兩個IGBT和二極體組成半橋拓撲，安裝在一個非常緊湊、堅固的便於表面貼裝的封裝上。該器件是HB系列IGBT的一部分，在導通和開關損耗方面進行了優化，適用於軟換向。每個

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車規級ACEPACK DMT-32電源模塊，Fourpack拓撲，1200 V，47.5 mOhm典型值，SiC功率MOSFET，配備NTC 產品說明 這款ACEPACK DMT-32電源模塊採用了集成NTC的fourpack拓撲結構，專為混合動力和電動車輛中OBC的DC/DC轉換器級別定製。該電源

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用於STM32 Nucleo的工業數字輸出擴展板，基於ISO8200BQ 產品說明 • X-NUCLEO-OUT01A2是面向STM32 Nucleo的工業級數字輸出擴展板。針對連接到0.7A工業負載的數字輸出模塊中的ISO8200BQ八通道高側智能功率固態繼電器（內置電隔離），該擴展板為評估其驅動

90°視場渡越時間 (ToF) 8x8多區傳感器，助力人工智慧 產品說明 VL53L7CH渡越時間傳感器具有超寬90°對角線視場和低功耗，是AI應用的理想選擇。緊湊的標準化直方圖 (CNH) 創新數據輸出，專為需要從高性能多區ToF傳感器獲取多區原始數據的人工智慧 (AI) 應用設計。 每個區域測量

ACEPACK 1電源模塊，四單元拓撲，1200 V、25 mΩ 典型值， 第2代SiC功率MOSFET，帶NTC 產品說明 該電源模塊採用四單元拓撲，內置ACEPACK 1 模塊和NTC，並集成了意法半導體最先進的第2代矽碳化MOSFET。這種模塊化解決方案可用於實現功率密度非常高的複雜拓撲，從而