1.東芝SiC MOSFET Built-in SBD實現了低VF並提高可靠性 東芝第三代SiC MOSFET採用了一種結構如圖1所示，在SiC MOSFET的PN二極體旁並聯內建了SBD，現了低VF的特性，圖2顯示了在施加250 A/cm²電流密度並從源極到汲極導通1000小時後，傳統的SiC M

1.介紹 功率半導體在供應與控制電力傳輸方面為至關重要的，對節能類的電氣設備中提高效率減少碳排量功率半導體是不可或缺的。隨著電動汽車進程加快以及工業設備變得更高效、更小型化，未來對功率半導體的需求預計將持續增長。在上述需求擴大的背景下，碳化矽 (SiC) 作為下一代功率半導體材料備受矚目，因其相較於

在功率電子應用中，DC-Link（直流支撐）電容是一種不可或缺的元件，其作用是利用電容儲存和釋放電荷的特性，來平衡電路中的電流和電壓，進而起到穩定係統運行的作用。 隨著新能源的發展，DC-Link 電容的應用場景也越來越多，在光電逆變器、新能源車、充電樁、UPS系統等領域，都少不了它。 DC-Lin

隨著智慧家電的不斷發展，這些設備已經為我們的生活帶來了更多便利。連接標準聯盟（CSA）與許多大廠共同支持並規範了 Matter 標準，旨在統一智慧家電的連接協議，解決智慧家居設備之間的互操作性問題，讓不同品牌的設備能夠更簡單地操作，進而提升用戶的使用體驗。 圖片來源：freepik 一、Matter

全球各國政府都在積極推動增加道路上的電動汽車（EV）數量，以取代內燃機（ICE）車輛。根據國際能源署（IEA）的預測，到2030年，全球電動汽車保有量將擴充到近3.5億輛。要讓這些車輛為車主提供最大的實用性，需要建設與現有加油站數量相當的充電基礎設施。 雖然家用充電器可能只需要最簡單的用戶界面，但公

前 言 相較於矽MOSFET和矽IGBT，碳化矽MOSFET具有更快的開關速度、導通電阻更低、開啟電壓更低的特點，越來越廣泛應用於新能源汽車、工業、交通、醫療等領域。在橋式電路中，碳化矽MOSFET具有更快的開關速度會使得串擾行為更容易發生，也會更容易發生誤開通現象，所以如何有效可靠地驅動碳化矽MO

摘     要 充電樁採用碳化矽模塊可以增加近30%的輸出功率，減少50%的損耗。目前在充電樁領域，碳化矽應用處於快速增長階段，預計到2025年將提升至35%，市場規模將達200億元。 近年來，充電時長已經成為影響新能源汽車駕駛體驗的關鍵因素，市場對提高車輛充電速度的需求變得越來越迫切。高電壓和大電

充電時間是消費者和企業評估購買電動汽車的一個主要考慮因素，為了縮短充電時間，業界正在轉向直流快速充電樁(DCFC)和超快速充電樁。超快速DCFC和超快速充電樁繞過了電動汽⻋的車載充電機(OBC)，直接向電池提供更⾼的功率，並根據電池容量以200A-500A的額定電流進⾏充電，以更高功率充電來實現大幅

作者：英飛凌工業半導體 作為引領電動汽車產業不斷前行的核心動力，電動汽車充電技術備受關注。 您是否了解基於英飛凌IGBT和CoolMOS™在直流充電樁方案上的技術優勢？  您是否了解英飛凌碳化矽在充電樁上的優越表現？ 同時，柵極驅動器又如何助力IGBT， 實現更高的價值？ 謎底都在視頻里， 請開啟您

Pcore™2 E2B封裝 1200V 240A 大功率碳化矽MOSFET模塊 BMF240R12E2G3是基本半導體為更好滿足工業客戶對高效和高功率密度需求而開發的一款1200V 240A大功率碳化矽MOSFET半橋模塊，該模塊採用了Press-Fit壓接工藝、帶NTC溫度檢測以及高封裝可靠性的氮