英特爾技術藍圖揭露全新製程節點命名架構
Intel 在7月份時正式首次詳盡發表製程與封裝技術最新藍圖 ，全新的技術藍圖揭露新製程節點命名架構 ，以全新節點命名方式，為 2025 年之後產品注入動力，Intel 預期能加速部署全新製程與更先進封裝。除首次發表全新電晶體架構 RibbonFET 外，尚有稱為 PowerVia 的業界首款背部供電方案。英特爾強調迅速轉往下一世代 EUV 工具的計畫，稱為高數值孔徑（High NA）EUV。
英特爾有望獲得業界首款 High NA EUV 量產工具。
目前對於節點的命名（奈米製程）是以半導體最小的零組件尺寸為基礎，廣義上來說代表示技術演進的世代，但就算是這些零組件本身，也會因為結構和技術，而在性能上有著差異。
這使得 Intel 的 10nm 技術有著雖然與他廠 7nm 類似的性能表現，但在製程為主流的明面上看起來就是差了一個世代。
產業早已意識到，目前以奈米為基礎的製程節點命名方式，並不符合自 1997 年起採用閘極長度為準的傳統。英特爾最新公布製程節點全新命名結構，創造清晰且一致性架構
因此 Intel 將在節點命名中捨棄直接使用奈米數，而是將節點的概念化帶入產品製程命名，將即將上市的 10nm Enhanced Superfin 改名為「Intel 7」隨後依照時程陸續推出「Intel 4」、「Intel 3」等。
並同時宣布 3 奈米要在 2023 下半年投片量產，也公布 2 奈米／20A Angstrom 埃米製程將在 2024 年量產，為高通產品代工。
Intel 7 (前稱10nm Enhanced SuperFin)：植基於FinFET（鰭式場效電晶體）最佳化，相較Intel 10nm SuperFin每瓦效能可提升大約10％～15％。
Intel 7將會使用在2021年的Alder Lake用戶端產品，以及2022年第一季量產的Sapphire Rapids資料中心產品。
Intel 4( 前稱Intel 7nm)：全面使用極紫外光（EUV）微影技術，透過超短波長的光，印製極小的形狀。伴隨每瓦效能提升約20％，以及面積改進，Intel 4將於2022下半年準備量產，
2023年開始出貨，client用戶端Meteor Lake和資料中心Granite Rapids將率先採用。
Intel 3：進一步汲取FinFET最佳化優勢與提升EUV使用比例，以及更多的面積改進， Intel 3相較Intel 4約能夠提供18％的每瓦效能成長幅度。Intel 3將於2023下半年準備開始生產。
Intel 20A：以RibbonFET和PowerVia這2個突破性技術開創埃米（angstrom）時代。RibbonFET為英特爾環繞式閘極（Gate All Around）電晶體的實作成果，亦將是自2011年推出FinFET後，首次全新電晶體架構。
RibbonFET 為英特爾環繞式閘極（Gate All Around）電晶體成果，亦是 2011 年推出 FinFET 後，首次全新電晶體架構。此技術於較小面積堆疊多鰭片，相同驅動電流提供更快電晶體開關速度。PowerVia 為英特爾獨特、業界首次實作的背部供電，藉由移除晶圓正面供電迴路，以達最佳化訊號傳遞工作。Intel 20A 預計將於 2024 年逐步量產。英特爾也很高興公布高通（Qualcomm）將採用 Intel 20A 製程。
2025年及之後的技術還在開發中，命名為Intel 18A，會繼續改進RibbonFET技術，同時會用上ASML下一代的高NA EUV曝光機，量產時間目前未定。
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