作者离职_该复制语系不上架_USB PD充電器設計 , 高效率100W USB-PD方案

關鍵字 :USB PD充電器

更大的電池容量和更短的充電時間需求,不斷提高對於充電器功率的要求。在小尺寸中實現大功率頗具挑戰性,人們為此提出了各種各樣的創新方案,(ZVS)拓撲結構、高性能開關、創新的封裝方式以及使用寬禁帶材料等,以滿足相應設計要求。 

本文介紹了一種100W的USB-PD解決方案,利用電源開關和新型拓撲結構來實現94%的效率和23W/in3的功率密度。 

為 了達到更高的功率密度,需要選擇合適的拓撲結構、規格尺寸和先進的控制技術。縱觀當前的大功率移動充電器市場,存在著多種針對大功率USB-PD充電器的 解決方案,包括PFC+QR和PFC+LLC。然而,這些解決方案也存在一定局限性,限制了其得到廣泛應用,例如:QR無法實現軟開關,LLC拓撲結構難 以用於可變輸出電壓設計。

針對上述情況,英飛凌推出了一種新的非對稱半橋混合型反激拓撲結構(如圖1)。 半橋與串聯電容器共同驅動傳統的反激變壓器。反激變壓器的主電感和串聯電容器形成諧振迴路,用於實現半橋開關的ZVS特性,並在反激變壓器的常規退磁階段 提供諧振功率傳輸。在正常運行期間,充電周期和相關功率通過峰值直流電流控制,而退磁階段通過定時控制,以確保適當的負預磁化,從而滿足半橋開關所需的 ZVS條件。




圖1:非對稱半橋反激拓樸的簡化示意圖

 

初級側的電源電路通過LC諧振迴路實現,該迴路由類似於LLC轉換器的半橋驅動。諧振電感器Lr為串聯電感,它既可以是變壓器漏感,也可以是變壓器漏感加外部電感,而Lm則代表變壓器主電感。通過將諧振電容器Cr和變壓器的初級線圈連接於正節點和半橋中點之間,也可以實現相同的轉換效果。當高側開關HS導通時,能量將存儲於Cr和Lm中,並且各自存儲的能量將隨輸入電壓和開關頻率而變化(如圖2所示)

 

圖2:儲能分布和頻率變化示意圖 

 

當高側開關HS斷開時,變壓器中的電流將迫使半橋中點VHB下降,直至低側開關的體二極體鉗位電壓為止。然後,低側開關將在零電壓時導通,與此同時,變壓器相位反轉,能量轉移至次級側。當低側開關斷開時,上一階段變壓器中感應的負電流將迫使半橋中點VHB升高其電壓,直至高側開關HS的體二極體鉗位電壓為止,類似於上一個階段。在ZVS條件下,HS打開,而LS關閉,但變壓器諧振迴路中的電流仍為負,這意味著諧振迴路中的多餘能量將被送回輸入端。

 

 

為什麼首選混合反激拓撲結構?

 

  • 與其他反激拓撲結構相比,混合反激變壓器需要存儲的能量比較少,因此有助於減小充電器的尺寸

  • 混合反激可以在初級側實現完全的ZVS,而在次級側實現完全的ZCS,並且泄漏能量也可以回收,從而提高效率。

  • 如以下公式,輸出電壓將隨占空比變化。對於混合反激式來說,實現寬電壓範圍的輸出要容易得多,由此克服了LLC拓撲結構在寬電壓輸出應用中的局限性。

Vout:輸出電壓

D:占空比

Vin:輸入電壓

Lm:變壓器電感

N:變壓器匝數比

Lr:變壓器漏感

 

 

英飛凌的100W USB-PD參考設計

 

完 整的解決方案如圖3所示。PFC級採用臨界導通模式IRS2505和ThinPAK封裝IPL60R185C7 CoolMOS™,而DC-DC級則採用數字PWM控制器XDPS2201和IPLK60R360PFD7。同時,BSC028N06NS用作同步整流開 關(將來可以換成專門針對充電器同步整流用的低壓ISZ0702NLS以進一步提升性價比),協議控制器為CYPD3174,而p-channel MOS  BSZ086N03NS3用作輸出安全開關。


圖3:100W USB-PD解決方案框圖

 

通過這種設置,效率峰值可以達到94%,並且待機功耗低於60mW。

 

 

圖4:效率和待機功耗曲線

 

 

最高效率:選擇適當的高壓MOSFET至關重要

軟開關技術使器件能夠在ZVS下運行,即MOSFET僅在其漏源電壓達到0V(或接近於0V)後才導通。這種策略可以消除器件的導通損耗,而導通損耗通常是造成總開關損耗的主要因素。遺憾的是,由於輸出電容的“非無損”特性,所有高壓SJ MOSFET都會遭受另外一種損耗,即在MOSFET輸出電容(Coss)先充電後放電時,都會有部分能量損失。因此,即使在ZVS條件下運行,也無法回收存儲於輸出電容中的全部能量(Eoss)。這種現象與Coss的滯回特性有關,在執行Coss充電/放電周期時可以藉助較大的信號測量觀察到這種現象。正因如此,此類損耗通常被稱為Coss滯回損耗(Eoss,hys)。

圖5:SJ MOSFET的Qoss充電/放電周期

 

得益於英飛凌先進的SJ技術,CoolMOS™ PFD7系列進一步降低了滯回損耗,從而有助於進一步提高效率。  

 

 

 結論 

 

基於數字XDPS2201的ZVS混合反激式,可以在不同的輸入電壓和輸出電流條件下實現ZVS和ZCS。此外,它還可以回收變壓器漏感的能量。高性能的功率MOSFET有助於在60mm x 40mm x 18mm尺寸的100W USB-PD設計實現高達94%的效率。

 

圖6:外形小巧、效率高達94%的英飛凌100W USB-PD參考設計

 

本文作者:胡鳳平

英飛凌全球低功率電源市場總監

 

 

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參考來源

: https://mp.weixin.qq.com/s/iOZNY-ELKZa7FBuPUDAICw

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