之前在淺談AOS Buck架構(一)MOSFET 的選擇(https://www.wpgdadatong.com/blog/detail/73742) 裡面有提到AONS36333+AONS36337，今天就來介紹為何這兩顆是現今MOSFET的首選。
AONS36337：High Side MOSFET
之前在我的介紹中有提到寄生電容對MOSFE動作的影響，還沒看過的可以去看這篇：AOS MOSFET 寄生電容對SOA 的影響(四) ( https://www.wpgdadatong.com/blog/detail/72624)，文中有提到，米勒平台，會因為Ciss 的影響，進而影響到開關MOSFET 的速度和能力，其中普遍來說Rds(on)越小的MOSFET 其 Ciss 會因為物理特性而越大，進而影響到其Driver 的所需能力，現在普遍MB 所在用的都是12Vin，若以CPU 1.2V 為舉例，其H/S MOSFET 導通的的Duty Cycle 只有10%，故需要選擇Rds(on)適中 Ciss 較小的MOSFET 做為H/S 應用。
AONS36333：Low Side MOSFET
在我剛剛介紹的AONS36337已經說明了High Side 的選擇，若以相同條件來介紹Low Side，我們會發現其Low Side 導通的Duty Cycle 是90% ，這是一個很高的比例都在Low Side ，且之前介紹過AOS MOSFET 對於Power Loss 介紹(三) ( https://www.wpgdadatong.com/blog/detail/71439) 裡面的 Conduction Loss，在這種情形底下，Rds(on)就格外重要，因為絕大部分的時間，導通，Rds(on)會是最大的能量損耗，也是效率需要被改善的部分。
經過以上的講解，相信大家已經對為何AONS36337+AONS36333是市場上主流首選的BUCK MOSFET 有一定的了解了
Q&A時間:
Q1：在Buck 架構中MOSFET 可否並聯使用?
A1：在High/ Low Side 的選料中，MOSFET 都是可以並聯的，其中Low Side的並聯更是常見，常常都是大家俗稱的上一下二來做使用。
Q2：常常看到Low Side用兩顆MOSFET並聯，是否會有風險?
A2：在Rds(on)相同的情況下，且在並聯的時候寄生電容會相加，此時要特別注意Driver 的能力是否可以正常推動，但如果上述的情況皆有注意，那就不會有風險了。
Q3：如果High Side 使用兩顆MOSFET 會不會有風險?
A3：其實不會，但如果是CPU就不會這樣使用，因為High Side 導通的Duty Cycle 不大，若以3V3 或是5V 就很常見。那要注意的其實就跟上面的問題依樣，要特別注意Driver 的能力是否可以推動。
Q4：甚麼時候會使用這種High Low Side的MOSFET 架構呢?
A4：一般來說有價格考量且空間夠大的時候，會優先使這種High Low Side的MOSFET 架構，現在也有Dr.MOSFET 可以使用，但因為其價格較MOSFET 高昂許多，故還是會以High Low Side的MOSFET 還做為第一優先考量。
Q5：在同步降壓的架構中，最常出現的Power Loss是甚麼?
A5：常見的Power Loss為以下三種：
1.Conduction Loss :PD=RDS x ID^2
2.Switching Loss: Psw = ½ (VD x ID ) *(Tswon + Tswoff )* Fsw
3.Driving Loss : ½ Ciss x Vgs^2
這三種Power Loss ，可以去觀看我之前做的文章：https://www.wpgdadatong.com/blog/detail/71439