前兩篇已經介紹理想的MOSFET的基本介紹和AOS POWER MOSFET
本篇要來介紹Power Loss：會以MOSFET 單體最大的Loss 來做計算。
MOSFET 導通發生的LOSS 分為三種:
1.傳導損耗Conduction Loss : PD=RDS x ID^2
在導通的時候，MOSFET 上產生的損耗，因為MOSFET 在導通的時候會有一個很小的RDS(on)在MOSFET裡面，再有電流流過的情況下，所產生的LOSS。AOS的MOSFET Rds(on)和別家相比，Rds(on)相對較小，所以Conduction Loss 是相對小於其他競爭對手。
AOS建議料號AONS36303.
2.開關損耗Switching Loss: Psw = ½ (VD x ID ) *(Tswon + Tswoff )* Fsw
MOSFET，在導通和關閉前會先經過電阻區，此時電阻下降，會產生電流(Id)上升，跨壓(Vds)下降，在P=V*I 的波形下，單次開和關會產生各一個三角形的波形。AOS 的MOSFET 在上篇中有提到，使用SGT-MOSFET 技術，Cgd較小，開關速度提升，故在Tswon 和 Tswoff 時間較小，故Switching Loss是較小的。
AOS建議料號AONS36308.
3.驅動損耗Driving Loss : ½ Ciss x Vgs^2
在上篇文章內，Miller Effect 在導通前會對寄生電容充電，其所造成的充電LOSS就是Driving Loss。在Switching Loss的段落中有提到，因為AOS的Cgd小，所以Ciss也小，故Driving Loss也是很小。
AOS建議料號AONS36303, AONS36308
