- 前言:
在前一篇博文“為何AOS Dr.mos 可以替換Discrete的優勢(上)”，有提到Layout 及工作頻率的比較，本篇繼續來討論Dr.mos還有哪些優勢。
- mos 與 Discrete架構比較表
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Dr.mos |
Discrete架構 |
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體積 |
小 |
大 |
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1Phase基本零件數 |
1pcs (Driver & H/mos & L/mos) 合併在一個package |
3pcs Driver & H/mos & L/mos |
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工作頻率 |
高 |
低 |
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溫度 |
低 |
高 |
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效率 |
高 |
低 |
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Spike |
低 |
高 |
- mos 與 Discrete架構的溫度比較
Dr.mos 基於高度整合的架構下，將Driver和MOSFET集成於單一晶片中。這種整合設計有助於減少內部連接線路和電阻，從而極小化由電流流動引起的損耗。此外，緊湊的內部佈局能夠降低內部電阻，減少潛在熱點的形成。
- mos 與 Discrete架構的效率比較
Dr.mos技術整合了Driver和MOSFET在內部，因此H/L side切換過程中，信號傳輸更為緊密，減少了傳輸過程中的能量損耗，從而提升整體效率。
這種整合設計經過精心調整，確保了Driver和MOSFET之間的匹配度更高。這不僅有助於降低功率損耗，同時也提高了轉換效率。
此外，Dr.mos技術能夠實現更快的切換速率，這進一步降低了切換過程中的開關損耗，因此也降低了總體功率損耗，從而有效提高了效率。
以下為效率實測比較，Dr.mos在效率上明顯優於Discrete架構
Discrete架構
Dr.mos _ (AOZ5518QI)
- mos 與 Discrete架構的SPIKE 比較
(1)在Dr.mos架構，Driver & H/mos & L/mos整合在同一Package內，因此所產生的Spike較低，也表示EMI以及輻射和傳導雜訊更低。
(圖片來源:AOS Dr.mos AOZ5518QI) https://aosmd.com/sites/default/files/res/data_sheets/AOZ5518QI.pdf
(2)在discrete架構，Driver & H/mos & L/mos三個元件個別獨立下，故元件與元件之間距離較遠，造成板上的ESL 較高，所產生的Spike較高。
- 結論:
Dr.mos 無論在空間、溫度、SPIKE、工作頻率、效率等表現，都遠比傳統Discrete架構有著大幅度的優勢
例如AOS的AOZ5518QI (Package:QFN5x5)的情況下，取代原先Discrete架構Driver(DFN2x2) + H/mos(DFN5x6) + L/mos(DFN5x6)，大幅減少所以使用空間，同時也提升整體Performance，為現今電源設計上最佳之選擇。
- AOZ5518QI使用Q&A:
Q1：Vin 電壓最小值&最大值?
A1：Vmin 4.5VDC ~ Vmax 25VDC
Q2：VCC電壓最小值&最大值?
A2：Vmin 4.5VDC ~ Vmax 5.5VDC
Q3：最大輸出電流?
A3：可輸出最大電流65A
Q4：AOZ5518QI工作頻率範圍?
A4：AOZ5518QI操作頻率為200kHZ to 2MHZ
Q5：Pin BOOT to Pin PHASE之間MLCC容值建議使?
A5：一般建議值100nF
Q6：目前有哪些IC封裝?
A6：目前AOZ5518QI為QFN5mm*5mm-31L